[发明专利]一种双向补电的驱动控制板在审

专利信息
申请号: 202011511797.3 申请日: 2020-12-18
公开(公告)号: CN114649927A 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 刘晓琳;易新敏;徐海峰;李雅淑;马玲莉;贾丽伟 申请(专利权)人: 圣邦微电子(北京)股份有限公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088;H02M3/156;H02M3/158;H02M1/14;H02M1/32
代理公司: 北京智绘未来专利代理事务所(普通合伙) 11689 代理人: 赵卿
地址: 100089 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 双向 驱动 控制板
【权利要求书】:

1.一种双向补电的驱动控制板,包括第一补电单元和第二补电单元,其特征在于:

所述第一补电单元与所述第二补电单元对称设置;并且,

所述第一补电单元中包括自举电压输入单元、补电电流生成单元和补电二极管D1;其中,

所述自举电压输入单元,采集来自自举电容的电压并发送至所述补电电流生成单元;

所述补电电流生成单元,接收所述来自自举电容的电压并生成补电电流;

所述补电二极管D1,基于所述补电电流为所述第二补电单元补电。

2.根据权利要求1中所述的一种双向补电的驱动控制板,其特征在于:

所述补电电流生成单元中包括放大器EA1、NMOS管、镜像单元;其中,

所述放大器EA1,负相输入端与所述自举电压输入单元连接,正相输入端接收参考电压,输出端与所述NMOS管MR1的栅极连接;

所述NMOS管MR1的源极接地,漏极与所述镜像单元连接;

所述镜像单元,与所述NMOS管MR1的漏极、所述二极管的正极分别连接。

3.根据权利要求2中所述的一种双向补电的驱动控制板,其特征在于:

所述镜像单元包括镜像连接的第一NMOS管MP1和第二NMOS管MP2;其中,

所述第一NMOS管MP1的漏极和栅极与所述NMOS管MR1的漏极、第二NMOS管的栅极连接;

所述第二NMOS管MP2的漏极与所述二极管D1的正极连接;

所述第一NMOS管MP1和第二NMOS管MP2的源极连接。

4.根据权利要求3中所述的一种双向补电的驱动控制板,其特征在于:

所述补电二极管D1的负极与所述第二补电单元中镜像单元中第三NMOS管MP3和第四NMOS管MP4的源极连接。

5.根据权利要求4中所述的一种双向补电的驱动控制板,其特征在于:

所述第一PMOS管MP1和第二PMOS管MP2的源极电压为第一自举电压BST1,所述第三PMOS管MP3和第四PMOS管MP4的源极电压为第二自举电压BST2。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于圣邦微电子(北京)股份有限公司,未经圣邦微电子(北京)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011511797.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top