[发明专利]一种超薄焊接垫片及制备方法、焊接方法与半导体器件

权利要求书

1.一种超薄焊接垫片，其特征在于，其包括：内部支撑结构，以及覆盖于所述内部支撑结构表面的焊料层，所述焊料层是采用焊料液均匀附着于所述内部支撑结构的表面而形成的，所述焊料层的熔点低于所述内部支撑结构的熔点。

2.根据权利要求1所述的超薄焊接垫片，其特征在于，所述内部支撑结构为平整的支撑片；可选地，所述支撑片的厚度为3-450μm。

3.根据权利要求1或2所述的超薄焊接垫片，其特征在于，所述超薄焊接垫片为平整结构；可选地，所述超薄焊接垫片的单片厚度为10-1000μm。

4.根据权利要求1或2所述的超薄焊接垫片，其特征在于，所述内部支撑结构的材质为金属；可选地，所述内部支撑结构的材质为铜及铜合金，镍合金、铁合金，铁镍合金，铁镍钴合金和不锈纲中的一种。

5.根据权利要求2所述的超薄焊接垫片，其特征在于，所述支撑片为无孔的支撑片。

6.根据权利要求2所述的超薄焊接垫片，其特征在于，所述支撑片为有孔的支撑片，所述有孔的支撑片是在无孔的支撑片上开孔形成的。

7.根据权利要求6所述的超薄焊接垫片，其特征在于，所述孔的孔径小于200μm，所述孔的形状为三角形、正方形、长方形、六边形或不规则图形。

8.根据权利要求2所述的超薄焊接垫片，其特征在于，所述支撑片为网状支撑片或任何连续的支撑结构；可选地，所述支撑片或所述支撑结构是由不同直经金属线编织或不同直经金属线和球形结构编织而成的网状支撑片。

9.根据权利要求1所述的超薄焊接垫片，其特征在于，所述焊料为可焊材料；可选地，所述焊料选自锡和锡基焊料，铟和铟基焊料，镓和镓基焊料，锡铋焊料，锡铟焊料和其他钎焊材料中的一种。

10.一种如权利要求1至9中任一项所述的超薄焊接垫片的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：将经过表面处理工艺后的内部支撑结构浸入焊料液中，再取出、冷却。

11.根据权利要求10所述的超薄焊接垫片的制备方法，其特征在于，所述内部支撑结构为平整的支撑片，支撑片浸入焊料液的方式为：将所述支撑片以垂直于焊料液液面的方向插入所述焊料液中，浸入时间可以根据不同的材质从1秒到几小时；

和/或，支撑片的表面处理工艺包括依次进行的如下步骤：清洗液超声清洗、烘干、活化、水洗、溶剂浸润和烘干；可选地，所述清洗液选自IPA、乙醇、甲烷和丙酮和其他金属清洗液中的一种；所述活化采用的酸洗活化液是有机酸和/或无机酸。

12.根据权利要求11所述的超薄焊接垫片的制备方法，其特征在于，将2片或多片支撑片叠合在一起同时浸入焊料液中，再取出、冷却；

或者，将所述支撑片多次反复浸入焊料液中，再取出、冷却。

13.根据权利要求10所述的超薄焊接垫片的制备方法，其特征在于，还包括辊压步骤。

14.一种基于如权利要求1至9中任一项所述的超薄焊接垫片的焊接方法，其特征在于，将所述超薄焊接垫片放置于待焊接的焊接面之间，再进行回流焊接，形成封装结构。

15.根据权利要求14所述的焊接方法，其特征在于，将两层或者两层以上的所述超薄焊接垫片叠合在一起使用。

16.根据权利要求14所述的焊接方法，其特征在于，所述焊接面的表面为金属表面，可选地，所述金属表面为铜、镍/金和其他可焊接金属中的一种。

17.一种半导体器件，其特征在于，其包括采用如权利要求1至9中任一项所述的超薄焊接垫片焊接形成的封装结构。

18.根据权利要求17所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为集成电路芯片封装，应用于芯片和载板，芯片和芯片，载板和载板，模组和模组，芯片和模组，载板和模组，以及芯片、模组、载板和散热片任何组合的焊接中的一种；

或者，所述半导体器件为集成电路芯片封装的散热，应用于芯片和散热板的焊接；

或者，所述半导体器件为IGBT模块。