[发明专利]荧光体及其制造方法、以及使用了该荧光体的发光装置

权利要求书

1.一种荧光体，其特征在于，所述荧光体的基本组成用下述式(A)表示：

K_a(Si_1-x，Mn_x)F_b (A)

式中，1.5≤a≤2.5、5.5≤b≤6.5、且0＜x≤0.06；

在测定该荧光体的拉曼光谱的情况下，出现在拉曼位移为600±10cm^-1的范围且归属于晶体中的Mn-F键的峰值强度I₁相对于出现在拉曼位移为650±10cm^-1的范围且归属于晶体中的Si-F键的峰值强度I₀之比I₁/I₀为0.09～0.22；

由出现在520±10cm^-1的范围且归属于Mn-F的峰值强度相对于出现在480±10cm^-1的范围且归属于Si-F的峰值强度求出的比率R_Eg为0.75～1.5；

由出现在310±10cm^-1的范围且归属于Mn-F的峰值强度相对于出现在410±10cm^-1的范围且归属于Si-F的峰值强度求出的比率R_F2g为0.31～0.61。

2.根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述荧光体的内量子效率为85％以上，外量子效率为58％以上。

3.根据权利要求1或2所述的荧光体，其中，所述式(A)的x为0.01以上。

4.根据权利要求1或2所述的荧光体，其中，所述式(A)的x为0.06以下。

5.根据权利要求1或2所述的荧光体，其中，所述荧光体的[氧含量]/[(氟含量)+(氧含量)]的值小于0.05。

6.根据权利要求1或2所述的荧光体，其中，在所述荧光体中，具有存在于比采用XPS分析能够检测的深度更深的荧光体内部且与氟键合的锰、和存在于采用XPS分析能够检测的深度的荧光体表面且与氧键合的锰。