[发明专利]显示面板及显示装置在审
申请号: | 202011469250.1 | 申请日: | 2020-12-14 |
公开(公告)号: | CN112599580A | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 张雨;赵成雨;孙增标 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 张娜;臧建明 |
地址: | 230037 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
本发明提供一种显示面板及显示装置,具有绕线区,绕线区围绕至少部分孔区设置,且至少部分绕线区位于显示区;包括:衬底;层叠设置于显示区的衬底上的像素电路层和像素层,像素电路避位位于显示区的绕线区设置,多条信号线,至少一条信号线被孔区分隔为第一信号线和第二信号线;信号连接线,信号连接线的两端分别与第一信号线和第二信号线电连接,且信号连接线位于绕线区内;其中,像素电路层包括多个膜层,信号连接线与像素电路层的至少一个膜层同层设置,且像素层在衬底上的正投影覆盖至少部分信号连接线在衬底上的正投影。减少孔区边缘边框的面积,增大显示面板的屏占比。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着电子设备的快速发展,全面屏显示已经成为手机等电子设备的发展趋势,通过超窄边框甚至无边框的设计,追求≥90%的屏占比,为了提高屏占比,通常是在显示区打孔,将摄像头等感光元件设置在显示面板的下方,形成屏下摄像头,从而提高屏占比。
由于至少部分显示区围设在打孔的边缘,显示面板中的各种信号线延伸至打孔区时会沿着打孔区的边缘进行绕线以使各信号线继续延伸,从而造成打孔区边缘的信号线非常密集,而打孔区边缘过多的信号线会造成打孔区的边缘较大,导致位于打孔区边缘的显示面板的边框较宽,影响显示面板的屏占比。
发明内容
鉴于上述问题,本发明实施例提供一种显示面板及显示装置,用于缩小孔区边缘的宽度,提高显示面板的屏占比。
为了实现上述目的,本发明实施例提供如下技术方案:
本发明实施例的第一方面提供一种显示面板,其具有孔区,围绕至少部分孔区的显示区以及位于孔区与显示区之间的边框区;显示面板还具有绕线区,绕线区围绕至少部分孔区设置,且至少部分绕线区位于显示区;显示面板包括:衬底;层叠设置于显示区的衬底上的像素电路层和像素层,像素电路层包括沿行方向和/或列方向排布多个像素电路,像素电路避位位于显示区的绕线区设置;多条信号线,信号线与一行或一列像素电路电连接,至少一条信号线被孔区分隔为第一信号线和第二信号线;信号连接线,信号连接线的两端分别与第一信号线和第二信号线电连接,且信号连接线位于绕线区内;其中,像素电路层包括多个膜层,信号连接线与像素电路层的至少一个膜层同层设置,且像素层在衬底上的正投影覆盖至少部分信号连接线在衬底上的正投影。
通过将围设在孔区边缘的至少部分信号连接线设置在显示区内的绕线区,这样,可以减少孔区边缘的信号连接线的数量,从而减小孔区边缘边框的面积,进而增大显示面板的屏占比,此外,为了减小显示区内的信号连接线与显示区内的像素电路或信号线之间的耦合,像素电路避位位于显示区的绕线区,即位于显示区的绕线区不设置像素电路。
在一种可选的实施方式中,像素电路层包括多个金属层,以及位于金属层之间的绝缘层,信号连接线与至少一层金属层同层设置。通过将信号连接线与至少一层金属层同层设置,信号连接线可以与金属层在同一工艺步骤中制备,可以减少显示面板的制备工序,从而降低加工成本。
在一种可选的实施方式中,边框区包括隔断区,隔断区用于隔断像素层的功能膜层;绕线区包括位于显示区的第一区域和位于隔断区的第二区域。
在一种可选的实施方式中,显示面板还包括间隔设置于隔断区的多个隔断部,隔断部包括导电膜层,位于第二区域的至少部分信号连接线为导电膜层。
在一种可选的实施方式中,显示区还具有围绕第一区域的第一显示区以及位于第一区域和第一显示区之间的第二显示区;像素电路包括驱动晶体管;其中,位于第二显示区的相邻像素电路的驱动晶体管之间的间距小于位于第一显示区的相邻像素电路的驱动晶体管之间的间距。
在一种可选的实施方式中,位于第二显示区的各像素电路的驱动晶体管之间等间距排布。
在一种可选的实施方式中,第一区域的信号连接线的排布密度小于第二显示区的信号线的排布密度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的