[发明专利]存储装置

说明书

本公开涉及存储装置。本公开提供一种存储装置，包括沿第一方向延伸的第一隔离单元、第一存储区段的第一存储阵列以及第二存储区段的第二存储阵列。第一存储区段的第一存储阵列沿不同于第一方向的第二方向邻接第一隔离单元的第一边界。第二存储区段的第二存储阵列沿第二方向邻接不同于第一边界的第一隔离单元的第二边界。存储装置还包括第一存储区段的第一译码器单元以及第二存储区段的第二译码器单元，被配置于第一隔离单元的相对侧。

技术领域

本公开涉及一种存储装置，特别是关于一种包括紧密配置的存储阵列的存储装置。

背景技术

在半导体产业中，读取/写入的字线区段设计已被广泛应用于具有低操控电压(VCCmin)与低功耗需求的产品中。在一些先进制程中，多个字线区段的布置(floor plan)因存储阵列与逻辑电路之间所需的空白空间(white space)而损失大量面积。

发明内容

根据本公开的实施例，提供一种存储装置，包括沿第一方向延伸的第一隔离单元、第一存储区段的第一存储阵列以及第二存储区段的第二存储阵列。第一存储区段的第一存储阵列沿不同于第一方向的第二方向邻接第一隔离单元的第一边界。第二存储区段的第二存储阵列沿第二方向邻接不同于第一边界的第一隔离单元的第二边界。存储装置还包括第一存储区段的第一译码器单元以及第二存储区段的第二译码器单元，被配置于第一隔离单元的相对侧。

根据本公开的实施例，提供一种存储装置，包括第一存储库。第一存储库包括多个第一边缘单元、多个第一存储单元、多个第二边缘单元以及多个第二存储单元、多个第三边缘单元以及多个第一字线与多个第二字线。第一边缘单元配置在多个存储行的至少第一边缘行中。第一存储单元配置在存储行的第一组中，其中存储行的第一组中的边缘行直接毗连于存储行的至少第一边缘行。第二边缘单元配置在多个存储行的第二组中，以及第二存储单元配置在多个存储行的第三组中，其中第二边缘单元被夹入于第一存储单元和第二存储单元之间。第三边缘单元配置于存储行的至少第二边缘行中，其中存储行的第三组中的边缘行直接毗连于存储行的至少第二边缘行。第一字线耦接第一存储单元，第二字线耦接第二存储单元，其中第一字线与第二字线终结在存储行的第二组。

根据本公开的实施例，提供一种存储装置，包括多个存储区段以及隔离单元。存储区段毗连于字线译码器配置，其中存储区段中的一者用于响应于传输自字线译码器的字线信号而启动。隔离单元被配置夹入于存储区段的两毗连区段之间，其中两毗连区段中的每一者包括第一译码器与通过多个字线耦接至第一译码器的存储阵列。两毗连区段中的第一译码器配置在隔离单元的相对侧，以及字线配置于两毗连区段中的第一译码器之间。

附图说明

当通过附图阅读时，从以下详细描述，最佳地理解本公开的实施例的方面。注意，根据该行业中的标准实践，各种特征未按比例绘制。事实上，为了论述的清晰起见，可任意地增大或减小各种特征的尺寸。

图1为根据实施例的存储装置的布局示意图。

图2A为根据实施例的存储装置的电路示意图。

图2B为根据实施例关于如图2A中的存储装置的电路示意图。

图3A为根据实施例关于如图1中的存储装置的布局图。

图3B为根据实施例关于如图1中的存储装置的布局图。

图4为根据实施例的存储装置的布局示意图。

图5为根据实施例关于如图4中的存储装置的电路示意图。

图6为根据实施例关于如图4中的存储装置的布局图。

图7为根据实施例的存储装置的布局示意图。

图8为根据实施例的存储装置的布局示意图。

图9为根据实施例的存储装置的布局示意图。