[发明专利]掩膜结构

说明书

本发明涉及一种掩膜结构，包括：掩膜框架，包括围合形成有中空部的框架本体，框架本体具有相背的支撑面和背面，框架本体上开设有由支撑面向背面下沉的下沉部，下沉部具有与背面相交设置的斜面；对位掩膜板，设置于支撑面，对位掩膜板开设有间隔设置且分别与下沉部连通的对位孔以及辅助孔，其中，沿垂直于背面的第一方向，对位孔以及辅助孔的正投影均位于下沉部的正投影内且斜面的正投影覆盖对位孔的正投影设置。本发明实施例提供的掩膜结构，在清洗时，能够减少药液残留，保证蒸镀机对对位孔位置区的对位抓取精度，降低误抓风险。

技术领域

本发明涉及掩膜技术领域，特别是涉及一种掩膜结构。

背景技术

目前蒸镀过程多使用精密掩膜结构(FMM)将有机发光材料蒸镀至基板指定位置，通常使用焊接在掩膜框架上的对位掩膜板的对位孔建立坐标系进行FMM精密张网。

多次蒸镀使用后，FMM上会残留蒸镀用有机材料，影响FMM蒸镀效果。故需要对Mask进行清洗，保证FMM再次使用时的清洁。经药液清洗后风刀吹干的过程中，容易在对位掩膜板的对位孔周边与掩膜框架的搭接间隙处形成药液残留，这部分药液最终会在掩膜板的对位孔周边形成残留药液污渍，过多的药液残留将使得蒸镀机在利用对位孔建立坐标系进行精密张网的过程中，蒸镀机对对位孔的对位抓取精度低，且误抓风险高。

发明内容

本发明实施例提供一种掩膜结构，在清洗时，能够减少药液残留污渍，保证蒸镀机对对位孔的对位抓取精度，降低误抓风险。

一方面，根据本发明实施例提出了一种掩膜结构，包括：掩膜框架，包括围合形成有中空部的框架本体，框架本体具有相背设置的支撑面和背面，框架本体上开设有由支撑面向背面下沉的下沉部，下沉部具有与背面相交设置的斜面；对位掩膜板，设置于支撑面，对位掩膜板开设有间隔设置且分别与下沉部连通的对位孔以及辅助孔，其中，沿垂直于背面的第一方向，对位孔以及辅助孔的正投影均位于下沉部的正投影内且斜面的正投影覆盖对位孔的正投影设置。

根据本发明实施例的一个方面，沿第一方向，辅助孔在背面的正投影的面积大于对位孔在背面的正投影的面积。

根据本发明实施例的一个方面，辅助孔沿第一方向的正投影的形状为圆形、椭圆形以及多边形中的一者。

根据本发明实施例的一个方面，下沉部的数量为多个且在框架本体上间隔分布，对位掩膜板上对应每个下沉部均设置有辅助孔以及对位孔，与同一下沉部对应设置的辅助孔与对位孔之间的最小距离为0.2mm。

根据本发明实施例的一个方面，下沉部包括贯通孔，贯通孔贯穿支撑面以及背面且轴线与背面相交设置，斜面形成于贯通孔的侧壁，沿第一方向，对位孔以及辅助孔的正投影均位于贯通孔的正投影内。

根据本发明实施例的一个方面，下沉部包括贯通孔以及凹部，贯通孔贯穿支撑面以及背面且轴线与背面相交设置，斜面形成于贯通孔的侧壁，凹部围绕贯通孔设置并由支撑面起始沿第一方向凹陷预定深度，沿第一方向，对位孔的正投影位于贯通孔的正投影内，辅助孔的正投影位于贯通孔和/或凹部的正投影内。

根据本发明实施例的一个方面，框架本体上还设置有由支撑面起始并沿第一方向凹陷预定深度的导槽，框架本体还包括连接支撑面以及背面的侧壁面，导槽贯穿侧壁面，凹部与导槽连通。

根据本发明实施例的一个方面，沿与第一方向相交的第二方向，凹部包括相继设置的围合区以及导流区，围合区在第二方向的截面尺寸大于导流区在第二方向的截面尺寸，凹部通过导流区与导槽连通。

根据本发明实施例的一个方面，导流区包括平滑过渡段以及连接段，平滑过渡段连接于围合区以及连接段之间，沿第二方向并由围合区至连接段，平滑过渡段的截面尺寸逐渐减小。

根据本发明实施例的一个方面，凹部在支撑面上形成有开口，对位孔的面积与相对设置的开口的面积比值范围为1/2000至1/200。