[发明专利]掩膜结构

权利要求书

1.一种掩膜结构，其特征在于，包括：

掩膜框架，包括围合形成有中空部的框架本体，所述框架本体具有相背设置的支撑面和背面，所述框架本体上开设有由所述支撑面向所述背面下沉的下沉部，所述下沉部具有与所述背面相交设置的斜面；

对位掩膜板，设置于所述支撑面，所述对位掩膜板开设有间隔设置且分别与所述下沉部连通的对位孔以及辅助孔，其中，沿垂直于所述背面的第一方向，所述对位孔以及所述辅助孔的正投影均位于所述下沉部的正投影内且所述斜面的正投影覆盖所述对位孔的正投影设置；

其中，所述下沉部包括贯通孔以及凹部，所述贯通孔贯穿所述支撑面以及所述背面且轴线与所述背面相交设置，所述斜面形成于所述贯通孔的侧壁，所述凹部围绕所述贯通孔设置并由所述支撑面起始沿所述第一方向凹陷预定深度，所述框架本体上还设置有由所述支撑面起始并沿所述第一方向凹陷预定深度的导槽，所述框架本体还包括连接所述支撑面以及所述背面的侧壁面，所述导槽贯穿所述侧壁面，所述凹部与所述导槽连通。

2.根据权利要求1所述的掩膜结构，其特征在于，沿所述第一方向，所述辅助孔在所述背面的正投影的面积大于所述对位孔在所述背面的正投影的面积。

3.根据权利要求1所述的掩膜结构，其特征在于，所述辅助孔沿所述第一方向的正投影的形状为圆形、椭圆形以及多边形中的一者。

4.根据权利要求1所述的掩膜结构，其特征在于，多个所述下沉部在所述框架本体上间隔分布，所述对位掩膜板上对应每个所述下沉部均设置有所述辅助孔以及所述对位孔，与同一所述下沉部对应设置的所述辅助孔与所述对位孔之间的最小距离为0.2mm。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的掩膜结构，其特征在于，所述下沉部包括贯通孔，所述贯通孔贯穿所述支撑面以及所述背面且轴线与所述背面相交设置，所述斜面形成于所述贯通孔的侧壁，沿所述第一方向，所述对位孔以及所述辅助孔的正投影均位于所述贯通孔的正投影内。

6.根据权利要求1至4任意一项所述的掩膜结构，其特征在于，沿所述第一方向，所述对位孔的正投影位于所述贯通孔的正投影内，所述辅助孔的正投影位于所述贯通孔和/或所述凹部的正投影内。

7.根据权利要求1所述的掩膜结构，其特征在于，沿与所述第一方向相交的第二方向，所述凹部包括相继设置的围合区以及导流区，所述围合区在所述第二方向的截面尺寸大于所述导流区在所述第二方向的截面尺寸，所述凹部通过所述导流区与所述导槽连通。

8.根据权利要求7所述的掩膜结构，其特征在于，所述导流区包括平滑过渡段以及连接段，所述平滑过渡段连接于所述围合区以及所述连接段之间，沿所述第二方向并由所述围合区至所述连接段，所述平滑过渡段的截面尺寸逐渐减小。

9.根据权利要求6所述的掩膜结构，其特征在于，所述凹部在所述支撑面上形成有开口，所述对位孔的面积与相对设置的所述开口的面积比值范围为1/2000至1/200。

10.根据权利要求1至4任意一项所述的掩膜结构，其特征在于，所述框架本体包括在所述第一方向层叠设置的基体以及凸起，所述下沉部设置于所述凸起并由所述凸起背离所述基体的一侧起始向所述基体所在侧下沉形成。

11.根据权利要求10所述的掩膜结构，其特征在于，所述基体为矩形框架结构，所述凸起呈条形块状结构体。

12.根据权利要求10所述的掩膜结构，其特征在于所述基体在自身顶角处分别设置有所述凸起，各所述凸起上设置均有所述下沉部。