[发明专利]计算机可读存储介质、闪存芯片的数据读取方法及装置

权利要求书

1.一种多闪存芯片的数据读取方法，由处理单元加载并执行程序代码时实施，其特征在于，所述多闪存芯片的数据读取方法包括：

发出读取指令给闪存接口，驱动所述闪存接口启动数据读取操作，用于从芯片的位置读取数据；

计算相应于所述读取指令的输出时间点；以及

当目前时间到达或晚于所述输出时间点时，发出相应于所述读取指令的随机输出指令给所述闪存接口，驱动所述闪存接口将所述数据存储到随机存取存储器。

2.如权利要求1所述的多闪存芯片的数据读取方法，其特征在于，所述芯片需要一段时间以准备所述数据。

3.如权利要求1所述的多闪存芯片的数据读取方法，其特征在于，所述输出时间点使用以下公式计算：

t_out＝T_now+t_prep

t_out代表所述输出时间点，T_now代表目前时间的时间戳，t_prep代表关联于所述读取指令的估计读取前置时间。

4.如权利要求3所述的多闪存芯片的数据读取方法，其特征在于，所述估计读取前置时间相应于所述读取指令所关联的所述芯片。

5.如权利要求3所述的多闪存芯片的数据读取方法，其特征在于，所述估计读取前置时间相应于所述读取指令所关联的所述芯片和存储单元类型，并且所述存储单元类型为单层式单元、多层式单元、三层式单元或四层式单元。

6.如权利要求3所述的多闪存芯片的数据读取方法，其特征在于，所述估计读取前置时间相应于所述读取指令所关联的所述芯片和页面类型，并且所述页面类型为单层式单元页面、三层式单元块中的低页面、三层式单元块中的中间页面或三层式单元块中的高页面。

7.如权利要求3所述的多闪存芯片的数据读取方法，其特征在于，所述估计读取前置时间相应于所述读取指令所关联的所述芯片和页面类型，并且所述页面类型为单层式单元页面、四层式单元块中的低页面、四层式单元块中的中间页面、四层式单元块中的高页面或四层式单元块中的顶页面。

8.一种计算机可读取存储介质，用于存储能够被处理单元执行的程序代码，其特征在于，所述程序代码被所述处理单元执行时实施如权利要求1至7中任一项所述的多闪存芯片的数据读取的方法。

9.一种多闪存芯片的数据读取装置，其特征在于，所述多闪存芯片的数据读取装置包括：

闪存接口，以相同通道耦接第一芯片和第二芯片；以及

处理单元，耦接所述闪存接口，发出第一读取指令给所述闪存接口，驱动所述闪存接口启动第一数据读取操作，用于从所述第一芯片的第一位置读取第一数据；计算相应于所述第一读取指令的第一输出时间点；发出第二读取指令给所述闪存接口，驱动所述闪存接口启动第二数据读取操作，用于从所述第二芯片的第二位置读取第二数据；计算相应于所述第二读取指令的第二输出时间点；以及当目前时间没有到达或晚于所述第一输出时间点但已经到达或晚于所述第二输出时间点时，发出相应于所述第二读取指令的随机输出指令给所述闪存接口，驱动所述闪存接口将所述第二数据存储到随机存取存储器。

10.如权利要求9所述的多闪存芯片的数据读取装置，其特征在于，所述第二芯片需要一段时间以准备所述第二数据。

11.如权利要求9所述的多闪存芯片的数据读取装置，其特征在于，所述第二输出时间点使用以下公式计算：

t_out＝T_now+t_prep

t_out代表所述第二输出时间点，T_now代表目前时间的时间戳，t_prep代表关联于所述第二读取指令的估计读取前置时间。