[发明专利]一种电化学沉积预分析方法、装置、设备以及介质在审
申请号: | 202011465239.8 | 申请日: | 2020-12-14 |
公开(公告)号: | CN114622265A | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 董鹏程;闫俊伟;张国才;董士豪;王大军;王成飞;孙少东 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | C25D21/12 | 分类号: | C25D21/12 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 张帆 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电化学 沉积 分析 方法 装置 设备 以及 介质 | ||
1.一种应用于MiniLED基板的电化学沉积预分析方法,应用于控制器,其特征在于,包括:
在Miniled基板镀铜过程中实时采集多个过程参数的生产数据;
分别根据各过程参数的生产数据绘制该过程参数的控制图,所述控制图以所述生产数据的采集时间为第一数轴、以数值为第二数轴、以各生产数据为数据点进行绘制;
分别利用预设置的与各过程参数对应的检测阈值分析对应的控制图并输出该过程参数的预判结果;
分别判断各过程参数的预判结果,若各预判结果中的至少一个为异常结果则发出警报。
2.根据权利要求1所述的电化学沉积预分析方法,其特征在于,所述检测阈值包括数据阈值和形态阈值,所述分别利用预设置的与各过程参数对应的检测阈值分析对应的控制图并输出该过程参数的预判结果进一步包括:
分别利用预设置的与各过程参数对应的数据阈值检测所述各控制图中的各数据点,若符合所述数据阈值则进行形态分析,否则输出异常结果的预判结果;
分别利用预设置的与各过程参数对应的形态阈值检测所述各控制图中的各数据点,若不符合则输出异常结果的预判结果。
3.根据权利要求2所述的电化学沉积预分析方法,其特征在于,所述数据阈值包括设置在所述第二数轴上的第一检测阈值、第二检测阈值和检测中心阈值,所述分别利用预设置的与各过程参数对应的数据阈值检测所述各控制图中的各数据点,若符合所述数据阈值则进行形态分析,否则输出异常结果的预判结果进一步包括:
分别利用预设置的与各过程参数对应的第一检测阈值和第二检测阈值检测所述控制图中的各数据点,若均在所述第一检测阈值和第二检测阈值的范围内则进行形态分析,否则输出异常结果的预判结果。
4.根据权利要求3所述的电化学沉积预分析方法,其特征在于,所述形态阈值包括距离阈值和形状阈值,所述分别利用预设置的与各过程参数对应的形态阈值检测所述各控制图中的各数据点,若不符合则输出异常结果的预判结果进一步包括:
判断所述相邻两个数据点在所述第二数轴上的距离是否小于所述距离阈值并且判断所述各数据点形成的点序列是否符合所述形状阈值。
5.根据权利要求4所述的电化学沉积预分析方法,其特征在于,在所述在Miniled基板镀铜过程中实时采集多个过程参数的生产数据之前,所述电化学沉积预分析方法还包括:
设置各过程参数的第一检测阈值、第二检测阈值、检测中心阈值、距离阈值和形状阈值。
6.根据权利要求1所述的电化学沉积预分析方法,其特征在于,所述在Miniled基板镀铜过程中实时采集多个过程参数的生产数据进一步包括:
在Miniled基板镀铜过程中控制检测各过程参数的传感器采集对应的过程参数的生产数据;
接收所述检测各过程参数的传感器输出的生产数据。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的电化学沉积预分析方法,其特征在于,所述多个过程参数包括阴阳极距、喷流流量、上电电流值、电流密度、药水温度、流量布局和药水PH值中的至少一个。
8.一种使用如权利要求1-7中任一项所述的电化学沉积预分析方法的电化学沉积预分析装置,其特征在于,包括控制器和检测各过程参数的传感器,其中
所述传感器,配置为实时检测对应的过程参数并输出该过程参数的生产数据至所述控制器;
所述控制器,配置为在Miniled基板镀铜过程中实时采集多个过程参数的生产数据,分别根据各过程参数的生产数据绘制该过程参数的控制图,所述控制图以所述生产数据的采集时间为第一数轴、以数值为第二数轴、以各生产数据为数据点进行绘制,分别利用预设置的与各过程参数对应的检测阈值分析对应的控制图并输出该过程参数的预判结果,分别判断各过程参数的预判结果,若各预判结果中的至少一个为异常结果则发出警报。
9.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,该程序被处理器执行时实现如权利要求1-7中任一项所述的方法。
10.一种计算机设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1-7中任一项所述的方法。
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