[发明专利]根据芯片温度调节其编程步长电压的闪存存储芯片

权利要求书

1.一种装置，包括：

闪存存储芯片，所述闪存存储芯片包括以下i)、ii)、iii)、和iv)：

i)用于接收命令的芯片接口；

ii)堆叠的储存单元的阵列；

iii)温度感测器件；以及，

iv)控制器，所述控制器耦合到所述芯片接口、所述堆叠的储存单元的阵列和所述温度感测器件，其中，所述控制器用于基于由所述温度感测器件测量的所述闪存存储芯片的温度来调节施加到所述堆叠的储存单元的阵列的编程步长电压。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述控制器用于在所述闪存存储芯片的所述温度接近所述闪存存储芯片的所述额定温度范围的中点时，增大所述编程步长电压。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述编程步长电压的增大在所述闪存存储芯片的加热和冷却方向上均发生。

4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述编程步长电压的增大导致所述储存单元中的更宽的电荷分布。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述控制器用于在所述闪存存储芯片的额定温度范围的最高温度或所述闪存存储芯片的所述额定温度范围的最低温度下将所述编程步长电压设置为最小值。

6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述最小编程步长电压导致所述储存单元内的最窄的电荷分布。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，当所述闪存存储芯片的所述温度远离所述闪存存储芯片的额定温度范围的中点移动时，所述控制器用于减小所述编程步长电压。

8.一种计算系统，包括：

多个处理核心；

系统存储器；

系统存储器控制器，所述系统存储器控制器耦合到任一所述系统存储器；

外围控制集线器；以及，

存储器件，所述存储器件耦合到所述系统存储器控制器或所述外围控制集线器，所述存储器件包括闪存存储芯片，所述闪存存储芯片包括以下i)、ii)、iii)、和iv)：

i)用于接收命令的芯片接口；

ii)堆叠的储存单元的阵列；

iii)温度感测器件；以及，

iv)控制器，所述控制器耦合到所述芯片接口、所述堆叠的储存单元的阵列和所述温度感测器件，其中，所述控制器用于基于由所述温度感测器件测量的所述闪存存储芯片的温度，来调节施加到所述堆叠的储存单元的阵列的编程步长电压。

9.根据权利要求8所述的计算系统，其中，所述控制器用于在所述闪存存储芯片的所述温度接近所述闪存存储芯片的额定温度范围的中点时，增大所述编程步长电压。

10.根据权利要求9所述的计算系统，其中，所述编程步长电压的增大在所述闪存存储芯片的加热和冷却方向上均发生。

11.根据权利要求9所述的计算系统，其中，所述编程步长电压的增大导致所述储存单元中的更宽的电荷分布。

12.根据权利要求8所述的计算系统，其中，所述控制器用于在所述闪存存储芯片的额定温度范围的最高温度或所述闪存存储芯片的所述额定温度范围的最低温度下，将所述编程步长电压设置为最小值。

13.根据权利要求12所述的计算系统，其中，所述最小编程步长电压导致所述储存单元内的最窄的电荷分布。

14.根据权利要求8所述的计算系统，其中，当所述闪存存储芯片的所述温度远离所述闪存存储芯片的额定温度范围的中点移动时，所述控制器用于减小所述编程步长电压。