[发明专利]薄膜晶体管、像素电路及显示面板

说明书

本申请公开了一种薄膜晶体管、像素电路及显示面板，薄膜晶体管包括第一有源层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、栅极层、金属层以及第二有源层；通过在薄膜晶体管中设置含有氧化物的第一有源层和第二有源层，既保持了其漏电流较小的良好性能，同时提高了其电子迁移率；进而降低了像素电路的漏电流及功耗。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管、像素电路及显示面板。

背景技术

对于OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光半导体)器件而言，LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低温多晶硅)驱动是必不可少的。OLED作为电流器件，必须由高迁移率的TFT器件才能更好的驱动。也正是因为它的电流驱动特性，使得每一个OLED的像素需要进行内部补偿，才能避免因为LTPS器件的均匀性问题导致的发光不一致性。所以每一个OLED的像素内部，必须要有6-7个TFT器件做补偿电路设计。作为自发光器件D1，OLED的全白模式必须让所有的像素全部开启，这也就增加了逻辑功耗和因亮度而引起的功耗。而LTPS的漏电问题，也使得正常工作的LTPS器件要不断充电，才能维持住电容中的电位，避免面板的画质不良。这就意味着LTPS无法实现低频驱动，这对面板功耗的节省也是大大不利的，特别是对于OLED所倡导的Always on Display(息屏显示)的友好交互模式。

随着显示面板刷新率要求的不断提高和其分辨率的不断提高，这也就意味着OLED面板中每一行的充电时间在不断缩短，而每一行的像素个数却又在不断提高。所以，OLED面板的驱动能力必须要达到在一个更短的时间内，为每一行中更多的像素进行充电的水平。这就必须进一步提高LTPS的充电能力，才能满足在有限的时间内为每一行中的每个像素进行充电，这些都是需要增加额外且很大的功耗。

考虑到以上问题点，氧化物半导体TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)有助于解决这些问题。

发明内容

本申请提供一种薄膜晶体管、像素电路及显示面板，解决了氧化物薄膜晶体管的电子迁移率低的的问题。

第一方面，本申请提供一种薄膜晶体管，其包括第一有源层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、栅极层、金属层以及第二有源层；第一栅极绝缘层形成于第一有源层的一侧；第二栅极绝缘层形成于第一栅极绝缘层的一侧，且远离第一有源层；栅极层位于第一栅极绝缘层与第二栅极绝缘层之间；金属层形成于第二栅极绝缘层的一侧，且远离第一栅极绝缘层；第二有源层位于第二栅极绝缘层与金属层之间，且与第一有源层部分连接；其中，第一有源层、第二有源层的材料相同且均含有氧化物。

基于第一方面，在第一方面的第一种实施方式中，第一有源层与第二有源层内包形成梯形结构，栅极层位于梯形结构的中心。

基于第一方面，在第一方面的第二种实施方式中，第一有源层与栅极层相平行，且均为平面状结构。

基于第一方面的第二种实施方式，在第一方面的第三种实施方式中，金属层包括源极和漏极；源极与第二有源层的一侧连接，漏极与第二有源层的另一侧连接。

基于第一方面，在第一方面的第四种实施方式中，第二有源层为类梯形结构，类梯形结构的下底边未形成封口且向外侧延伸形成有第一下底子边和第二下底子边。

基于第一方面的第四种实施方式，在第一方面的第五种实施方式中，第二有源层的结构与漏极的结构和源极的结构相同，且漏极、源极均为倒置的类梯形结构。

基于第一方面的第五种实施方式，在第一方面的第六种实施方式中，漏极的上底边与第二有源层的第一下底子边连接；漏极的第二下底子边与第二有源层的上底边中的一部分连接；漏极的一腰与第二有源层的一腰连接。