[发明专利]一种修正邻近效应造成曝光图形失真的方法

说明书

本发明用于半导体制造的光刻技术领域，提出一种利用条件判断式规则对邻近效应造成曝光图形失真的修正方法。本发明公开了一种修正邻近效应造成曝光图形失真的方法，包括：对光罩上的曝光图形进行像素单元的划分，得到目标图形；对目标图形进行邻近效应的计算得到邻近效应图形；将每一次计算的邻近效应图形与目标图形比对，得到多余点和缺少点；修正多余点和缺少点，得到修正图形；当修正图形的邻近效应图形与目标图形一致时，修正完成，否则将进行循环修正。

本发明涉及半导体制造的光刻技术领域，具体来说，本发明涉及一种修正邻近效应造成曝光图形失真的方法。

背景技术

本发明涉及半导体制造的光刻技术领域，而邻近效应修正是一种光刻增强技术，邻近效应修正主要在半导体芯片的生产过程中使用，目的是为了保证制程过程中设计掩模板上的目标图形完整的转移到芯片上。为了制作更微小尺度的目标图形，可以通过事前计算机模拟计算方式来进行修正邻近效应造成的曝光图形失真的方法，通过事前改善掩模板设计来补偿曝光成像结果。而一般计算机模拟计算修正邻近效应方法需经过大量图形数据模拟分析来得到最佳结果，往往造成计算机的计算量庞大，而本发明即是提出一种以判别式法及特定修正规则进行邻近效应的修正，来有效节省庞大的模拟计算数量。

发明内容

本发明提供一种修正邻近效应造成曝光图形失真的方法，主要利用判别式法加上特定的修正规则，减少大数据量的计算，却能同样达到准确的邻近效应修正结果。

本发明所采用的技术方案如下：

步骤1：将设计于光罩上的曝光图形，将其转换为的像素单元的图形，此图形定义为目标图形，并将曝光的像素单元定义为原曝光点，不曝光的像素单元定义为原非曝光点；

步骤2：将邻近效应的影响转换为对应光源强度的像素图形，即是以光源点中心对称式简化成从1递减到0的强度数据值表示，并估算出在此光源条件下目标图形实际上会产生的曝光图形，此图形定义为邻近效应图形；

步骤3：将邻近效应图形与目标图形的像素点进行比对，得到与目标图形差异的多余曝光点与缺少曝光点，此简称为多余点与缺少点；

步骤4：依据多余点与缺少点的总点数判别，若缺少点总数较多则进行添加缺少点过程，若多余点总数较多则进行删除多余点过程；

步骤5：再依据缺少点或多余点为修正曝光点或修正非曝光点来决定修正添加规则与修正删除规则，并得到对应的修正图形；

步骤6：将修正图形再次估算出对应的邻近效应图形，并将此邻近效应图形与目标图形进行比对，若差异超过误差范围则再次重复进行步骤3-6，若差异在理想范围内，则利用最终的修正图形进行曝光即可得到避免邻近效应造成失真的目标图形结果。

进一步地，所述光源点中心对称式的从1递减到0的强度数据值是依据实际光源的强度情况去简化成一个接近中心对称式的递减数值分布来表示光源分布的数值，其中1代表光强度最强的情况，0代表没有光照射到的情况。

进一步地，所述邻近效应图形为将曝光的像素单元与不曝光的像素单元分别转成数值1与0，将各像素点数值去乘以光源分布的数值与其他曝光条件造成的权重值后，将每点得到的数值叠加，并依据定义超过某一临界值的数值即为邻近效应图形的曝光点。

进一步地，所述添加缺少点过程是依据缺少点为修正曝光点时，添加缺少点周围一圈的八个点作为此修正添加规则；或依据缺少点为修正非曝光点时，添加此一缺少点位置来作为此修正添加规则。

进一步地，所述删除多余点过程是依据多余点为修正曝光点时，删除此一多余点位置来作为此修正删除规则。

进一步地，所述删除多余点过程是依据多余点为修正非曝光点时，需再多判别该多余点周围是否有新添加点来作为此修正删除规则。

进一步地，所述当多余点周围有新添加点来作为此修正删除规则时，删除周围部分新添加点对多余点影响大，对缺少点影响小的点。