[发明专利]层叠陶瓷电容器

权利要求书

1.一种层叠陶瓷电容器，具备：

层叠体，包含层叠的多个电介质层以及多个内部电极层；和

外部电极，设置在所述层叠体的表面，并与所述内部电极层电连接，

在所述层叠陶瓷电容器中，

在所述层叠体的表面中的至少安装面设置有硅烷偶联剂层，

所述硅烷偶联剂层包含氟系硅烷偶联剂，

在将所述层叠体上的F原子相对于Ba原子的浓度比F/Ba作为硅烷偶联剂浓度时，所述安装面中的硅烷偶联剂浓度为0.1以上且365以下，且比所述安装面的对置面中的硅烷偶联剂浓度高。

2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电容器，其中，

所述安装面中的硅烷偶联剂浓度为0.1以上且293以下。

3.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电容器，其中，

将所述安装面中的硅烷偶联剂浓度设为A，将所述对置面中的硅烷偶联剂浓度设为B，此时，硅烷偶联剂的浓度比B/A为0.50以下。

4.根据权利要求2所述的层叠陶瓷电容器，其中，

将所述安装面中的硅烷偶联剂浓度设为A，将所述对置面中的硅烷偶联剂浓度设为B，此时，硅烷偶联剂的浓度比B/A为0.50以下。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的层叠陶瓷电容器，其中，

所述层叠体具有：第1主面以及第2主面，在层叠方向上相对；第1侧面以及第2侧面，在与所述层叠方向正交的长度方向上相对；和第3侧面以及第4侧面，在与所述层叠方向以及所述长度方向正交的宽度方向上相对，

所述层叠体的第1主面作为安装面，第2主面作为对置面，

所述外部电极包含：第1外部电极，设置在所述层叠体的第1侧面；和第2外部电极，设置在所述层叠体的第2侧面，

将从绕入到所述层叠体的第1主面的所述第1外部电极的端部到所述层叠体的第1侧面的距离设为E_A1，将从绕入到所述层叠体的第2主面的所述第1外部电极的端部到所述层叠体的第1侧面的距离设为E_B1，此时，绕入到主面的第1外部电极的长度比E_B1/E_A1为0以上且0.5以下，

将从绕入到所述层叠体的第1主面的所述第2外部电极的端部到所述层叠体的第2侧面的距离设为E_A2，将从绕入到所述层叠体的第2主面的所述第2外部电极的端部到所述层叠体的第2侧面的距离设为E_B2，此时，绕入到主面的第2外部电极的长度比E_B2/E_A2为0以上且0.5以下。

6.根据权利要求1～4中的任一项所述的层叠陶瓷电容器，其中，

所述层叠陶瓷电容器的层叠方向上的尺寸T为50μm以上且200μm以下。

7.根据权利要求5所述的层叠陶瓷电容器，其中，

所述层叠陶瓷电容器的层叠方向上的尺寸T为50μm以上且200μm以下。

8.一种层叠陶瓷电容器，具备：

层叠体，包含层叠的多个电介质层以及多个内部电极层；和

外部电极，设置在所述层叠体的表面，并与所述内部电极层电连接，

在所述层叠陶瓷电容器中，

在所述层叠体的表面中的至少安装面设置有硅烷偶联剂层，

所述硅烷偶联剂层包含碳系硅烷偶联剂，

在将所述层叠体上的Si原子相对于Ba原子的浓度比Si/Ba作为硅烷偶联剂浓度时，所述安装面中的硅烷偶联剂浓度为0.91以上且38.10以下，且比所述安装面的对置面中的硅烷偶联剂浓度高。

9.根据权利要求8所述的层叠陶瓷电容器，其中，

将所述安装面中的硅烷偶联剂浓度设为A，将所述对置面中的硅烷偶联剂浓度设为B，此时，硅烷偶联剂的浓度比B/A为0.50以下。