[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管，包括：

包括第一半导体材料的沟道层；

沟道供应层，包括第二半导体材料并且在所述沟道层中感应二维电子气(2DEG)；

电连接到二维电子气的源电极和漏电极；

在所述沟道供应层上的耗尽形成层，所述耗尽形成层被配置为在所述二维电子气中形成耗尽区；以及

在所述耗尽形成层上的栅电极，所述栅电极包括被配置为与所述耗尽形成层形成欧姆接触的第一栅电极以及被配置为与所述耗尽形成层形成肖特基接触的第二栅电极。

2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述耗尽形成层包括p型III-V族氮化物半导体。

3.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述耗尽形成层在与所述源电极和所述漏电极平行的方向上延伸。

4.根据权利要求3所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述耗尽形成层是多个耗尽形成层之一，所述多个耗尽形成层在与所述源电极和所述漏电极平行的所述方向上彼此间隔开。

5.根据权利要求3所述的高电子迁移率晶体管，还包括：

在所述耗尽形成层的中间部分上的突起，所述突起在与所述源电极和所述漏电极平行的所述方向上延伸。

6.根据权利要求3所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述第一栅电极在与所述源电极和所述漏电极平行的所述方向上在所述耗尽形成层的上表面的中间区域中延伸。

7.根据权利要求6所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述第二栅电极在所述耗尽形成层的所述上表面上并且覆盖所述第一栅电极。

8.根据权利要求7所述的高电子迁移率晶体管，其中

所述第一栅电极包括钯和TiN中的至少一种，

所述第二栅电极包括TiN，以及

在所述第一栅电极中的钛与氮的比例不同于在所述第二栅电极中的钛与氮的比例。

9.根据权利要求6所述的高电子迁移率晶体管，其中

所述第二栅电极是多个第二栅电极之一，以及

所述多个第二栅电极在所述耗尽形成层的所述上表面上彼此间隔开并覆盖所述第一栅电极的部分。

10.根据权利要求3所述的高电子迁移率晶体管，其中

所述第一栅电极是多个第一栅电极之一，以及

所述多个第一栅电极在所述耗尽形成层的上表面上的中间区域中在与所述源电极和所述漏电极平行的所述方向上彼此间隔开。

11.根据权利要求10所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述第二栅电极在所述耗尽形成层的所述上表面上并且覆盖所述多个第一栅电极。

12.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中

所述耗尽形成层是多个耗尽形成层之一，以及

所述多个耗尽形成层在与所述源电极和所述漏电极平行的方向上彼此间隔开。

13.根据权利要求12所述的高电子迁移率晶体管，其中，多个突起在与所述源电极和所述漏电极平行的所述方向上分别在所述多个耗尽形成层的中间部分上。

14.根据权利要求12所述的高电子迁移率晶体管，其中

所述第一栅电极是多个第一栅电极之一，以及

所述多个第一栅电极分别在所述多个耗尽形成层的上表面上的中间区域中。

15.根据权利要求14所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述第二栅电极在所述多个耗尽形成层的所述上表面上，并且覆盖所述多个第一栅电极。

16.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述第一半导体材料包括基于GaN的材料。