[发明专利]极紫外光罩与其制造方法

说明书

本揭露提供一种极紫外(extreme ultra violet；EUV)光罩与其制造方法。例如：此极紫外光罩包含基材、形成于基材上的多层镜面层、形成于多层镜面层上的金属覆盖层、以及形成于金属覆盖层之上的多层吸收层。此多层吸收层包含蚀刻至多层吸收层中的特征，以在半导体元件上定义结构。

技术领域

本揭露是关于一种应用于极紫外光(extreme ultra violet；EUV)微影制程的光罩与此光罩的制造方法。

背景技术

光学微影能以多样化且不同的方式进行。其中一种光学微影制程的实例为极紫外光微影(EUV)。极紫外光微影是基于利用具有10至15纳米波长的电磁波光谱部分的曝光。

在一例子中，极紫外光罩可用于定义基材中的多个层的结构。极紫外光罩可具有反射性。因此，通过选择性地移除吸收层来显露覆盖于基材上的一下方镜面体的一部分，可定义出极紫外光罩上的图案。

发明内容

本揭露的一态样是提供一种极紫外光罩。此光罩包含基材、形成于此基材上的多层镜面层，形成于此多层镜面层上的金属覆盖层、以及多层吸收层。此多层吸收层包含形成于此多层镜面层上的至少一个氧化物层。此多层吸收层包含蚀刻至多层吸收层中的多个特征，以在半导体元件上定义出多个结构。

本揭露的另一态样是提供一种极紫外光罩，此光罩包含基材、形成于此基材上的多层镜面层、形成于此多层镜面层上的金属覆盖层、以及形成于此多层镜面层上的含氧化物的吸收层。此含氧化物的吸收层包含蚀刻至此多层吸收层中的多个特征，用以在半导体元件上定义出多个结构。

本揭露的又一态样是提供一种制造极紫外光光罩的方法。首先，沉积包含至少一氧化层的多层吸收层于多层镜面层上；接着，透过涂布于硬遮罩层上的光阻的曝光、烘烤、显影步骤来定义多个特征于此多层镜面层中；然后，蚀刻此多层吸收层来形成特征于此多层吸收层中，以在半导体元件上定义出多个结构。

附图说明

根据以下详细说明并配合附图阅读，使本揭露的态样获致较佳的理解。需注意的是，如同业界的标准作法，许多特征并不是按照比例绘示的。事实上，为了进行清楚讨论，许多特征的尺寸可以经过任意缩放。

图1是绘示根据本揭露的至少一实施例的极紫外(EUV)光罩的剖面示意图；

图2是绘示根据本揭露的至少一实施例的具有多层吸收层的极紫外光罩的剖面示意图；

图3是绘示根据本揭露的至少一实施例的形成极紫外光罩的方法流程图；

图4A至图4J是绘示根据本揭露的至少一实施例的极紫外光罩在各种制造站点的部分剖面示意图；

图5是本揭露中使用极紫外光罩的极紫外光微影系统的概略示意图。

【符号说明】

10：光学微影系统

12：辐射源

14：照明器

16：光罩基座

20：投影光学盒

22：半导体基材

24：基材基座

100：极紫外光罩

102：基材

104：多层镜面层

106：金属覆盖层

108：多层吸收层

110₁-110_n：特征

112：高折射系数材料