[发明专利]极紫外光罩与其制造方法在审
| 申请号： | 202011388345.0 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN113138528A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 许倍诚;连大成;李信昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/58 | 分类号： | G03F1/58;G03F1/68 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 紫外光 与其 制造 方法 | ||
1.一种极紫外光罩，其特征在于，包含：
一基材；
一多层镜面层，形成于该基材上；
一金属覆盖层，形成于该多层镜面层上；以及
一多层吸收层，包含形成于该多层镜面层上的至少一氧化物层，其中该多层吸收层包含蚀刻至该多层吸收层中的多个特征，以在一半导体元件上定义出多个结构。
2.根据权利要求1所述的极紫外光罩，其特征在于，该多层吸收层包含一第一金属氧化物层，一金属氮化物层，及一第二金属氧化物层。
3.根据权利要求2所述的极紫外光罩，其特征在于，该第一金属氧化物层包含氧化硼钽(TaBO)、五氧化二钽(Ta2O5)、二氧化钌(RuO2)、氧化铌钌(RuNbO)、或五氧化二铌(Nb2O5)其中至少一者。
4.根据权利要求2所述的极紫外光罩，其特征在于，该金属氮化物层包含硼氮化钽(TaBN)。
5.根据权利要求2所述的极紫外光罩，其特征在于，该第二金属氧化物层包含氧化硼钽(TaBO)。
6.一种极紫外光罩，其特征在于，包含：
一基材；
一多层镜面层，形成于该基材上；
一金属覆盖层，形成于该多层镜面层上；以及
一含氧化物的吸收层，形成于该多层镜面层上，其中该含氧化物的吸收层包含：蚀刻至该多层吸收层中的多个特征，用以在一半导体元件上定义出多个结构。
7.根据权利要求6所述的极紫外光罩，其特征在于，该金属覆盖层包含厚度为0至4纳米的钌或二氧化钌(RuO2)。
8.根据权利要求6所述的极紫外光罩，其特征在于，该含氧化物的吸收层包含形成于该金属覆盖层上的一第一氧化硼钽(TaBO)层、一硼氮化钽(TaBN)层、以及一第二氧化硼钽(TaBO)层。
9.一种制造极紫外光罩的方法，其特征在于，包含：
沉积包含至少一氧化层的一多层吸收层于一多层镜面层上；
透过涂布于一硬遮罩层上的一光阻的曝光、烘烤、显影步骤来定义多个特征于该多层镜面层中；以及
蚀刻该多层吸收层来形成所述多个特征于该多层吸收层中，以在一半导体元件上定义出多个结构。
10.根据权利要求9所述的制造极紫外光罩的方法，其特征在于，该多层吸收层包含一第一金属氧化物层、一硼氮化钽(TaBN)层、以及一氧化硼钽(TaBO)层。
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