[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法有效
| 申请号: | 202011360887.7 | 申请日: | 2020-11-27 |
| 公开(公告)号: | CN112582567B | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
| 发明(设计)人: | 张国辉;朱映光;鲁天星;董艳波;胡永岚;李栋栋;苏乃文 | 申请(专利权)人: | 固安翌光科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京东方芊悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11591 | 代理人: | 彭秀丽 |
| 地址: | 065500 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种有机电致发光器件,包括透明电极层(2)和设置于所述透明电极层(2)上的有机功能层(4)和金属阴极层(6),其特征在于,所述透明电极层(2)与所述有机功能层(4)之间设有呈起伏状的透明电阻层(3),所述有机功能层(4)表面呈起伏状设置于起伏状的所述透明电阻层(3)上;
所述透明电阻层(3)包括沉积在所述透明电极层(2)上的呈多孔状连续的第一电阻层(31)和沉积在所述第一电阻层(31)表面上呈连续起伏状设置的第二电阻层(32),所述有机功能层(4)沉积于所述第二电阻层(32)上,所述第一电阻层(31)为氧族元素金属化合物膜层或卤族元素金属化合物膜层,所述第二电阻层(32)为可导电类化合物。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一电阻层(31)厚度为50nm -300nm,所述第一电阻层(31)上形成有网格或多孔结构(a),所述网格或多孔结构(a)由若干个三角形孔、方形孔、圆形孔、多边形孔中的一种或多种孔型的组合,所述网格或多孔结构(a)的开孔面积占整个所述第一电阻层(31)表面面积的30%-70%。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第二电阻层(32)厚度为50nm-300nm,其面电阻为103Ω/□-107Ω/□;所述有机电致发光器件中的面电流流经所述透明电阻层时所产生的等效电阻值为所述有机电致发光器件的总体电阻值的5%-30%。
4.根据权利要求2所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述网格或多孔结构(a)通过干法或湿法刻蚀方式形成,所述网格或多孔结构(a)所形成的Taper角度为10°-80°。
5.根据权利要求 4所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述网格或多孔结构(a)所形成的Taper角度为30°-60°。
6.一种有机电致发光器件,包括透明电极层(2)和设置于所述透明电极层(2)上的有机功能层(4)和金属阴极层(6),其特征在于,所述透明电极层(2)与所述有机功能层(4)之间设有呈起伏状的透明电阻层(3),所述有机功能层(4)表面呈起伏状设置于起伏状的所述透明电阻层(3)上;
所述透明电极层(2)表面上形成网格或多孔结构(a),所述网格或多孔结构(a)由若干个三角形孔、方形孔、圆形孔、多边形孔中的一种孔型或多种孔型的组合,所述网格或多孔结构(a)的开孔面积占整个所述透明电极层(2)表面面积的30%-70%;所述透明电极层(2)上沉积有连续的第二电极层(5),所述透明电阻层(3)覆盖于所述第二电极层(5)上。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述网格或多孔结构(a)通过干法或湿法刻蚀方式形成,所述网格或多孔结构(a)所形成的Taper角度为10°-80°.
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件,其特征在于,述网格或多孔结构(a)所形成的Taper角度为30°-60°。
9.根据权利要求6所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述透明电阻层(3)为氧族元素金属化合物膜层或卤族元素金属化合物膜层,其厚度为50nm-300nm,其面电阻为103Ω/□-107Ω/□,所述有机电致发光器件中的面电流流经所述透明电阻层时所产生的等效电阻值为其总体电阻值的5%-30%。
10.根据权利要求6所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述透明电极层(2)的厚度为80nm-150nm,所述第二电极层(5)的厚度为30nm-200nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





