[发明专利]一种等离子转移弧硅粉生产方法在审
申请号: | 202011352489.0 | 申请日: | 2020-11-26 |
公开(公告)号: | CN112551530A | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 柴立新;汪艳春;马仁友 | 申请(专利权)人: | 宁波广新纳米材料有限公司 |
主分类号: | C01B33/06 | 分类号: | C01B33/06;C01B33/021;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 徐会娟 |
地址: | 315155 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 等离子 转移 弧硅粉 生产 方法 | ||
1.一种等离子转移弧硅粉生产方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、取原料填装在反应器(2)的石墨坩埚(1)内;
步骤2、将反应器(2)抽真空至小于等于10kPa后,通入氩气,并控制反应器(2)内压强为70-100kPa;
步骤3、点火起弧,使电弧在等离子枪与原料之间燃烧,控制等离子枪电流小于500A,并在使得石墨坩埚(1)内原料的温度大于等于1600℃时,保持等离子枪电流与原料温度稳定,至原料完全熔融后继续步骤4;
步骤4、增大等离子枪电流大小,并控制等离子枪电流为500-600A;
步骤5、熔融的原料逐渐蒸发成相应粒子后进入冷凝器(3)中,冷凝器(3)内通入冷却气体以令蒸发的原料结晶成核,并形成硅粉体,控制冷却温度为400-500℃,冷却气体流速为6-10m/s;
步骤6、收集器(4)收集硅粉体,并进一步冷却后获得硅粉体,冷却温度为80-150℃。
2.根据权利要求1所述的一种等离子转移弧硅粉生产方法,其特征在于:在步骤1中,向所述石墨坩埚(1)内插入铜条,所述铜条用于引弧电极。
3.根据权利要求1所述的一种等离子转移弧硅粉生产方法,其特征在于:在步骤2中,所述氩气经引风机与收集器(4)循环连接。
4.根据权利要求1所述的一种等离子转移弧硅粉生产方法,其特征在于:在步骤4中,控制电压为140-160V。
5.根据权利要求1所述的一种等离子转移弧硅粉生产方法,其特征在于:在步骤6中,所述硅粉体的粒径为10-200nm。
6.根据权利要求1所述的一种等离子转移弧硅粉生产方法,其特征在于:在步骤6中,收集器(4)收集形成的硅粉体经反吹装置逆行反吹后由收粉器收集。
7.根据权利要求6所述的一种等离子转移弧硅粉生产方法,其特征在于:所述反吹装置的反吹压力控制在0.5-0.6MPa。
8.根据权利要求1所述的一种等离子转移弧硅粉生产方法,其特征在于:所述硅粉体呈球状。
9.根据权利要求1所述的一种等离子转移弧硅粉生产方法,其特征在于:所述硅粉体为硅粉、硅化铁粉或硅化锰粉。
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