[发明专利]一种透明柔性Micro-LED显示系统及其制备方法

权利要求书

1.一种透明柔性Micro-LED显示系统的制备方法，其特征在于，所述透明柔性Micro-LED显示系统采用直立石墨烯作为互联电极，所述方法为，包括如下步骤：

a.制备透明柔性基底；

b.将Micro-LED器件转移至透明柔性基底，Micro-LED器件的尺寸小于100μm；

c.在Micro-LED器件上，旋涂介质层并开孔；

d.加工对应互联电极图案的钼金属网格；

e.将对应互联电极图案的钼金属网格与旋涂了介质层的Micro-LED阵列对齐并固定，然后将其放于ICPCVD生长炉中，根据ICPCVD生长石墨烯的工艺参数进行Micro-LED直立石墨烯互联电极的定域生长；

f.将Micro-LED显示阵列封装，旋涂或喷涂保护层；

g.将驱动模块与直立石墨烯互联电极连接，得到透明柔性Micro-LED显示系统；

所述步骤c中，Micro-LED直立石墨烯互联电极的定域生长的步骤如下：

(1)生长环境的准备：采用电感耦合等离子体增强化学气相沉积设备，将钼金属网格固定好的Micro-LED阵列放置ICPCVD反应腔的样品台上，将设备气压抽到0.05Torr以下；同时，在抽真空过程中将衬底温度升到300℃～900℃；

(2)衬底预处理：经步骤(1)处理后，通入H₂和Ar气体，使气压维持在0.03～0.05Torr，将射频功率从300W缓慢升至900W，再将衬底电压加至100V，产生等离子体，此过程持续12～18min；

(3)待步骤(2)衬底预处理完成后，依次切断电压、射频功率、H₂和Ar气体，然后通入CH₄和H₂混合气体，使气压维持在0.45～0.55Torr，并将射频功率从300W加升至1100W、衬底电压加至150V，从而电离H₂、CH₄气体产生等离子体，此过程持续8～12min；

(4)待步骤(3)结束后，依次切断电压、射频功率、气体H₂和CH₄、衬底加热电源，在真空中将温度降至100℃以下，取出样品，移开钼金属网格，得到直立石墨烯互联的Micro-LED透明柔性阵列。

2.如权利要求1所述的透明柔性Micro-LED显示系统的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，H₂和Ar气体的通入体积比为1:1。

3.如权利要求2所述的透明柔性Micro-LED显示系统的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，H₂和Ar气体的通入量均为15sccm。

4.如权利要求1所述的透明柔性Micro-LED显示系统的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，CH₄和H₂气体的通入体积比为6:1。

5.如权利要求4所述的透明柔性Micro-LED显示系统的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，CH₄的通入量为60sccm，H₂气体的通入量为10sccm。

6.如权利要求1所述的透明柔性Micro-LED显示系统的制备方法，其特征在于，所述透明柔性基底包括基材和设于基材上的粘附层，所述基材为PE、PP、PI、PET、天然云母片中的至少一种。

7.如权利要求1所述的透明柔性Micro-LED显示系统的制备方法，其特征在于，所述步骤g中，驱动模块采用被动矩阵模块，放置在透明柔性基底外围，采用CMOS或TFT驱动；

或者，驱动模块采用主动矩阵模块；与LED共N极或共P极的一极，通过互联电极互联在一起；另外一极直接与主动矩阵模块焊接，主动矩阵为TFT。