[发明专利]一种硅光窗硬质红外增透膜及制备方法

权利要求书

1.一种硅光窗硬质红外增透膜，其特征在于：

膜系结构为：

LHLHL|Sub|LHLHL

其中，Sub为基底，LHLHL为增透膜膜系，H为Ge膜层，L为SiO膜层。

2.根据权利要求1所述的硅光窗硬质红外增透膜，其特征在于：

所述基底为Si基底。

3.根据权利要求1所述的硅光窗硬质红外增透膜，其特征在于：

所述硬质红外增透膜系LHLHL中，与基底相邻的L膜层为第1层，最外层为第5层，第1～5层的几何厚度值为：第1层30～35nm，第2层330～350nm，第3层30～35nm，第4层170～190nm，第5层600～620nm。

4.一种利用权利要求1所述硅光窗硬质红外增透膜的制备方法，其特征在于包括下述步骤：

a.清洁基底，并用离子源轰击3～5分钟；

b.烘烤基底，抽真空至1×10-2Pa，加热基底至120℃～180℃，保温1小时；

c.镀制第1层膜层，用SiO膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为1.5×10-2Pa，蒸发速率为2.0nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为30～35nm；

d.镀制第2层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强1.5×10-2Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为330～350nm；

e.镀制第3层膜层，用SiO膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为1.5×10-2Pa，蒸发速率为2.0nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为30～35nm；

f.镀制第4层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强1.5×10-2Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为170～190nm；

g.镀制第3层膜层，用SiO膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为1.5×10-2Pa，蒸发速率为2.0nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为600～620nm；

h.真空室冷却至室温后取出单面镀有硬质红外增透膜系的硅光窗，该硅光窗具有LHLHL|Sub膜系的光学零件，其中Sub代表基底；

i重复步骤a-g在硅光窗另一面镀硬质红外增透膜，真空室冷却至室温后取出双面镀有硬质红外增透膜系的硅光窗，该硅光窗具有LHLHL|Sub|LHLHL膜系的光学零件。