[发明专利]一种用于塑封电路的贮存寿命的评估方法在审

专利信息
申请号: 202011342675.6 申请日: 2020-11-25
公开(公告)号: CN112595954A 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 陈达;王哲;张仕念;李整利;李凌;张坤;王九兴 申请(专利权)人: 西安太乙电子有限公司;北京控制与电子技术研究所;中国人民解放军火箭军研究院导弹工程研究所;中国人民解放军火箭军装备部装备项目管理中心
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 安彦彦
地址: 710075*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 塑封 电路 贮存 寿命 评估 方法
【说明书】:

本发明提供的一种用于塑封电路的贮存寿命的评估方法,包括以下步骤:利用电参数测试方法对待测样品进行测试,得到电参数评估结果;利用扫描声学显微镜对待测样品进行检测,得到扫描声学显微镜的评估结果;将电参数评估结果结合扫描声学显微镜的评估结果,得到待测样品最终的评估结果;本发明解决了现有的集成电路产品的贮存寿命试验时仅通过电参数测试结果对其寿命进行评估存在的结果不准确的缺陷。

技术领域

本发明适用于塑封电路加速贮存寿命试验与评估领域,具体属于一种用于塑封电路的贮存寿命的评估方法。

背景技术

电子产品贮存寿命是衡量其性能的一个重要指标。加速寿命试验是通过加大应力(温度、湿度、电应力、温循等)的试验方法来加速产品的失效,获得产品失效率,估算产品寿命的一种方法。与自然环境下的寿命试验相比,该方法能够很大程度上缩短试验时间,提高试验效率,降低试验成本。

迄今为止,国内外投入了大量的人力、物力,开展了大量的试验研究,总结并应用了适用于电子产品加速贮存寿命试验技术。如“恒定应力寿命试验和加速寿命试验方法”(标准GB2689-81),“单片集成电路贮存寿命特征检测方法”(中国专利CN105004367A),“加速寿命试验技术在国内外的工程应用研究”(《强度与环境》2010年第37卷第6期,31页-38页)等文献中均对这些技术和方法进行了详细描述。目前,对于集成电路产品,都是通过在加速试验过程中对样品电参数进行检测,根据检测结果选择合适的模型对样品贮存寿命进行评估。当加速试验过程中对样品电参数未发生变化时,需要利用基于无退化数据的寿命评估方法对试验件进行评估,参考相关标准、文献或已有试验结果给出的激活能或加速因子,对其贮存寿命进行保守估计,无法实现对该类型产品贮存寿命的准确评价。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于塑封电路的贮存寿命的评估方法,解决了现有的集成电路产品的贮存寿命试验时仅通过电参数测试结果对其寿命进行评估存在的结果不准确的缺陷。

为了达到上述目的,本发明采用的技术方案是:

本发明提供的一种用于塑封电路的贮存寿命的评估方法,包括以下步骤:

利用电参数测试方法对待测样品进行测试,得到电参数评估结果;

利用扫描声学显微镜对待测样品进行检测,得到扫描声学显微镜的评估结果;

将电参数评估结果结合扫描声学显微镜的评估结果,得到待测样品最终的评估结果。

优选地,利用电参数测试方法对待测样品进行测试,得到电参数评估结果,具体方法是:

对待测样品的每一次测试节点进行电参数测试试验,得到待测样品的多个电参数值;将得到的多个电参数值进行比较,若多个电参数值无变化时,则根据扫描声学显微镜的检测结果进行评估;若多个电参数值有变化时,则根据电参数值对待测样品的贮存寿命进行评估,得到电参数评估结果。

优选地,利用扫描声学显微镜对待测样品进行检测,得到扫描声学显微镜的评估结果,具体方法是:

利用扫描声学显微镜对待测样品的每一次测试节点进行检测,得到待测样品的空洞图和分层图,根据待测样品的空洞图和分层图对待测样品的贮存寿命进行评估,得到扫描声学显微镜的评估结果。

优选地,所述待测样品的空洞图和分层图分别为待测样品引线框架与封装材料的空洞图、芯片与封装材料的空洞图、待测样品引线框架与封装材料的分层图、以及芯片与封装材料的分层图。

优选地,根据待测样品的空洞图和分层图对待测样品的贮存寿命进行评估,具体方法是:根据GJB4027A-2006对待测样品的失效进行判断。

优选地,将电参数评估结果结合扫描声学显微镜的评估结果,得到待测样品最终的评估结果,具体方法是:

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