[发明专利]具有表面安装封装的载波和峰化放大器的多赫蒂放大器

权利要求书

1.一种多赫蒂放大器，其特征在于，包括：

模块基板，所述模块基板具有顶基板表面；

耦合到所述顶基板表面的第一表面安装装置，其中所述第一表面安装装置包括第一放大器管芯；

耦合到所述顶基板表面的第二表面安装装置，其中所述第二表面安装装置包括第二放大器管芯；以及

电连接在所述第一放大器管芯和所述第二放大器管芯的输出之间的阻抗转换器线路组件，其中所述阻抗转换器线路组件包括：

耦合到所述模块基板的阻抗转换器线路，其中所述阻抗转换器线路具有近端和远端，

所述第一表面安装装置的第一引线，所述第一引线具有电耦合到所述第一放大器管芯的输出的近端和耦合到所述阻抗转换器线路的所述近端的远端，以及

所述第二表面安装装置的第二引线，所述第二引线具有电耦合到所述第二放大器管芯的输出的近端和耦合到所述阻抗转换器线路的所述远端的远端。

2.根据权利要求1所述的多赫蒂放大器，其特征在于，所述第一引线和所述第二引线选自方形扁平无引线(QFN)封装引线、鸥翼(gull wing)引线、接点栅格阵列(LGA)封装引线和球栅阵列(BGA)封装引线。

3.根据权利要求1所述的多赫蒂放大器，其特征在于，所述第一引线的所述近端和所述远端之间的第一电长度在2度到16度的范围内，所述阻抗转换器线路的所述近端和所述远端之间的第二电长度在10度到80度的范围内，所述第二引线的所述近端和所述远端之间的第三电长度在2度到16度的范围内，并且所述第一放大器管芯和所述第二放大器管芯的所述输出之间的总电长度包括所述第一电长度、所述第二电长度和所述第三电长度，并且所述总电长度在所述多赫蒂放大器的基本工作频率上是90度。

4.根据权利要求1所述的多赫蒂放大器，其特征在于，所述第一引线和所述第二引线的所述近端通过接合线电耦合到所述第一放大器管芯和所述第二放大器管芯的所述输出。

5.根据权利要求1所述的多赫蒂放大器，其特征在于：

所述第一引线是第一垂直导体，所述第一垂直导体在成角度偏离通过所述第一放大器管芯的主信号传导方向的方向上在所述第一引线的所述近端和所述远端之间传导第一电信号；并且

所述第二引线是第二垂直导体，所述第二垂直导体在成角度偏离通过所述第二放大器管芯的主信号传导方向的方向上在所述第二引线的所述近端和所述远端之间传导第二电信号。

6.一种多赫蒂放大器，其特征在于，包括：

模块基板，所述模块基板具有顶基板表面；

耦合到所述模块基板的阻抗转换器线路，其中所述阻抗转换器线路具有近端和远端，并且所述阻抗转换器线路的特征在于所述阻抗转换器线路的所述近端与所述远端之间的第一电长度；

耦合到所述顶基板表面的第一表面安装装置，其中所述第一表面安装装置包括第一封装体、第一垂直引线和耦合到所述第一封装体的第一放大器管芯，其中所述第一垂直引线具有在所述第一封装体内部的近端和在所述第一封装体外部的远端，其中所述第一垂直引线的所述近端在所述第一表面安装装置的底表面上方，其中所述第一垂直引线的特征在于所述第一垂直引线的所述近端与所述远端之间的第二电长度，其中所述第一垂直引线的所述近端电耦合到与所述第一放大器管芯一体形成的第一功率晶体管的输出端，并且其中所述第一垂直引线的所述远端耦合到所述阻抗转换器线路的所述近端；以及

耦合到所述顶基板表面的第二表面安装装置，其中所述第二表面安装装置包括第二封装体、第二垂直引线和耦合到所述第二封装体的第二放大器管芯，其中所述第二垂直引线具有在所述第二封装体内部的近端和在所述第二封装体外部的远端，其中所述第二垂直引线的所述近端在所述第二表面安装装置的底表面上方，其中所述第二垂直引线的特征在于所述第二垂直引线的所述近端与所述远端之间的第三电长度，其中所述第二垂直引线的所述近端电耦合到与所述第二放大器管芯一体形成的第二功率晶体管的输出端，并且其中所述第二垂直引线的所述远端耦合到所述阻抗转换器线路的所述远端。