[发明专利]一种存储器的坏块处理方法及系统

说明书

本发明公开了一种存储器的坏块处理方法及系统，包括：步骤1，上电检查存储器的有效区域中的存储块是否完成初始化标识置位；步骤2，当完成所述初始化标识置位时，选取坏块替换区域中起始的地址对应的替换块为当前的替换块，并判断当前的替换块是否为坏块；步骤3，若当前的替换块为好块，则读取所述当前的替换块的spare区中存储的替换块的地址，并当确定替换块的地址为有效时，申请动态内存并创建数据节点，填充该新创建的数据节点的结点信息并修改上个节点的地址指针；步骤4，从所述坏块替换区域中选取下一个替换块作为当前的替换块，并返回步骤3；步骤5，当遍历完成所述坏块替换区域中的所有替换块时，将多个数据节点连接，以建立坏块映射表。

技术领域

本发明涉及存储设备技术领域，并且更具体地，涉及一种存储器的坏块处理方法及系统。

背景技术

NandFlash存储器是非易失性存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NandFlash存储器具有容量较大，改写速度快、价格低廉等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、手机、录音笔等。

由于NandFlash的工艺的限制，不能保证在其生命周期中保持性能的可靠。因此，在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。坏块的特性是：当编程/擦除这个块时，不能将某些位拉高，最终表现为存储数据错误。按照坏块产生的原因，坏块可以分为两大类固有坏块和使用坏块。固有坏块是生产过程中产生的坏块，一般芯片原厂会在出厂时将坏块标记；使用坏块是对某块进行多次写入和擦除，造成的数据块损坏。

通常，对NandFlash坏块的处理策略是采用坏块替换法。这种方法就是将NandFlash分为有效区和替换区，当遇到坏块时，从替换区查找一个好块，建立坏块地址和替换区的好块地址的映射关系，并将映射关系表存储在替换区的坏块管理信息中。坏块替换法将映射信息保存在NandFlash中，如果映射信息所在的块变成坏块，映射信息就会全部丢失，将造成数据严重紊乱。如果更新映射信息比较频繁，就会反复擦写修改替换区，也会极大缩短Flash的使用寿命。而且，为了提高效率，一般会创建一个数组缓存映射信息，这种管理方式对于大容量的NandFlash，需要占用大量RAM资源。

发明内容

本发明提出一种存储器的坏块处理方法及系统，以解决如何对NandFlash存储器的坏块进行处理的问题。

为了解决上述问题，根据本发明的一个方面，提供了一种存储器的坏块处理方法，所述方法包括：

步骤1，上电检查存储器的有效区域中的存储块是否完成初始化标识置位；

步骤2，当完成所述初始化标识置位时，选取坏块替换区域中起始的地址对应的替换块为当前的替换块，并根据当前的替换块的spare区的数据判断当前的替换块是否为坏块；

步骤3，若当前的替换块为好块，则读取所述当前的替换块的spare区中存储的替换块的地址，并当确定替换块的地址为有效时，申请动态内存并创建数据节点，填充该新创建的数据节点的结点信息并修改上个节点的地址指针；

步骤4，从所述坏块替换区域中选取下一个替换块作为当前的替换块，并返回步骤3，直至遍历完成所述坏块替换区域中的所有替换块；

步骤5，当遍历完成所述坏块替换区域中的所有替换块时，将多个数据节点连接，以建立坏块映射表。

优选地，其中所述方法还包括：

若所述初始化标识未置位，则依次读取数据有效区域中的每个存储块的spare区的数据，并根据每个存储块的所述spare区的数据确定该存储块是否为出厂坏块，直至遍历完所述数据有效区域中的所有存储块，将存储器初始化标识置位，并进入步骤2；