[发明专利]一种气体传输管路升温方法、半导体工艺设备

说明书

本申请实施例提供了气体传输管路升温方法、半导体工艺设备，该方法包括：基于每一个气体传输管路的在预设时间段的结束时刻的温度，确定每一个气体传输管路对应的加热元件的用于同步升温的输出功率，其中，在预设时间段，每一个气体传输管路对应的加热元件以相同的预设初始输出功率输出；对于每一个气体传输管路，在预设时间段之后控制气体传输管路对应的加热元件的输出功率为气体传输管路的用于同步升温的输出功率。

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体涉及气体传输管路升温方法、半导体工艺设备。

背景技术

在半导体器件的生产过程中的诸如工艺环节，均需要将相应的用于工艺的气体通过相应的气体传输管路输入到相应的工艺腔室。

在低压力化学气相沉积(LPCVD，Low Pressure Chemical Vapor Deposition)工艺生产过程中需要通入一些特殊气体作为工艺气体，例如二氯硅烷，其常温下一般为液态，而在进行相关工艺时，需要将液态的二氯硅烷转化为气态，通过与多个相连通的气体传输管路输入或输出工艺腔室，来完成工艺。因此，在利用气体传输管路传输气体之前，需要使得用于传输气体的每一个气体传输管路的温度均达到目标温度例如40℃，以避免传输气体时由于传输管路温度过低导致气体冷凝。

目前，通常采用的方式为：每一个气体传输管路对应的加热元件均以同一输出功率对气体传输管路进行加热。然而，由于诸如加热元件的安装位置不同、人员安装时包裹气体传输管路的气体传输管路对应加热元件的松紧程度不同等因素，会导致各个气体传输管路的升温速度具有差异。

一方面，升温速度较快的气体传输管路在温度达到目标温度之后，需要等待升温速度较慢的气体传输管路达到目标温度，每一个气体传输管路均达到目标温度，才能开始传输相应的气体以进行相应的工艺。等待的时长通常较长，导致每一个气体传输管路的温度均达到目标温度可以开始传输相应的气体所需的时长较长。另一方面，在等待期间，升温速度较快的气体传输管路对应的加热元件依然以用于保持目标温度的输出功率工作，从而，造成资源的浪费。

发明内容

为克服相关技术中存在的问题，本申请提供一种气体传输管路升温方法、半导体工艺设备。

根据本申请实施例的第一方面，提供一种气体传输管路升温方法，应用于半导体工艺设备，半导体工艺设备包括多个相连通的气体传输管路，多个气体传输管路共同用于运输工艺气体，每一个气体传输管路上均设置有测温元件和加热元件，包括：

基于每一个气体传输管路的在预设时间段的结束时刻的温度，确定每一个气体传输管路对应的加热元件的用于同步升温的输出功率，其中，在预设时间段，每一个气体传输管路对应的加热元件以相同的预设初始输出功率输出；

对于每一个气体传输管路，在预设时间段之后控制气体传输管路对应的加热元件的输出功率为气体传输管路的用于同步升温的输出功率。

根据本申请实施例的第二方面，提供一种半导体工艺设备，包括多个相连通的气体传输管路，多个气体传输管路共同用于运输工艺气体，每一个气体传输管路上均设置有测温元件和加热元件，半导体工艺设备包括：

功率确定单元，被配置为基于每一个气体传输管路的在预设时间段的结束时刻的温度，确定每一个气体传输管路对应的加热元件的用于同步升温的输出功率，其中，在预设时间段，每一个气体传输管路对应的加热元件以相同的预设初始输出功率输出；

控制单元，被配置为对于每一个气体传输管路，在预设时间段之后控制气体传输管路对应的加热元件的输出功率为气体传输管路的用于同步升温的输出功率。