[发明专利]平面型IGBT结构

权利要求书

1.一种平面型IGBT结构，其特征在于，包括芯片主体，所述芯片主体上设有多个平行分布的P阱，所述P阱为由条状体围成的环形结构，多个P阱间的步距由芯片主体的中心向边缘由小变大取值设置，且所述多个P阱围绕所述芯片主体的中心，从而有效防止了电流分布不均匀；其中，所述P阱间步距的取值采用以下方法：根据芯片主体的电压等级确定一最优值A，距芯片主体的中心最近的两P阱间的步距为B，越靠近芯片主体的边缘处的两P阱间的步距越接近所述最优值A，以此实现对多个平行分布的P阱间步距的设置；其中，最优值A的左侧，通态压降随步距的增大而减少；

其中，所述芯片主体的有源区设置于(100)晶面上，沟道沿(100)晶面的100晶向导电，所述P阱与沟道的导电方向垂直设置。

2.根据权利要求1所述的平面型IGBT结构，其特征在于，所述P阱为圆形环、方形环、矩形环、菱形环、正多边形环或不规则形环的条状。

3.根据权利要求2所述的平面型IGBT结构，其特征在于，所述芯片主体还包括：设于有源区的栅焊盘，所述栅焊盘设于所述芯片主体的角、边或中心，所述栅焊盘通过栅汇流条连通于芯片主体的周边或连通于芯片主体的周边和内部。

4.根据权利要求3所述的平面型IGBT结构，其特征在于，所述栅焊盘通过栅汇流条连通于芯片主体的周边时，所述栅汇流条为无栅指汇流条，所述无栅指汇流条围绕有源区周边设置，而不向芯片主体内部伸出指状汇流条。

5.根据权利要求3所述的平面型IGBT结构，其特征在于，所述栅焊盘通过栅汇流条连通于芯片主体的周边和内部时，所述栅汇流条为斜对角线栅指汇流条，所述斜对角线栅指汇流条除围绕有源区周边设置外，还向芯片主体内部伸出指状汇流条。