[发明专利]用于存储器装置的非切换状态补偿的差分放大器感测方案

说明书

本申请案涉及用于存储器装置的非切换状态补偿的差分放大器方案。在读取操作期间，存储器单元的第一节点可与差分放大器的输入耦合，而所述存储器单元的第二节点可用第一电压加偏压(例如，以跨所述存储器单元施加第一读取电压)。随后，所述存储器单元的所述第二节点可用第二电压加偏压(例如，以跨所述存储器单元施加第二读取电压)，此可支持所述差分放大器以补偿所述存储器单元的非切换状态的方式操作。可通过在读取操作期间补偿存储器单元的非切换状态来增大读取裕度。

交叉参考

本专利申请案主张由维梅尔卡蒂(Vimercati)等人在2019年12月5日申请的标题为“用于非切换状态补偿的差分放大器方案(DIFFERENTIAL AMPLIFIER SCHEMES FOR NON-SWITCHING STATE COMPENSATION)”的第16/705,055号美国专利申请案的优先权，所述美国专利申请案被转让给其受让人且其全文以引用方式明确并入本文中。

技术领域

技术领域涉及用于存储器装置的非切换状态补偿的差分放大器感测方案。

背景技术

下文大体上涉及一或多个存储器系统，且更明确来说，涉及用于存储器装置的非切换状态补偿的差分放大器感测方案。

存储器装置广泛用于存储例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物的各种电子装置中的信息。信息通过编程存储器装置的不同状态来存储。举例来说，二进制装置大多存储通常由逻辑1或逻辑0表示的两种状态中的一者。在其它装置中，可存储两种以上状态。为了存取存储信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一种存储状态。为了存储信息，装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。

存在各种类型的存储器装置，其包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)及其它。存储器装置可为易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如FeRAM)可长时间保存其存储的逻辑状态，即使缺少外部电源。易失性存储器装置(例如DRAM)会在与外部电源断开时丢失其存储的状态。FeRAM能够实现类似于易失性存储器的密度，但可由于使用铁电电容器作为存储装置而具有非易失性。

改进存储器装置可包含提高存储器单元密度、提高读取/写入速度、提高可靠性、增加数据保持、降低功耗或降低制造成本以及其它指标。在一些情况中，存储器单元与感测放大器之间可包含各种电路组件以支持开发与确定由存储器单元存储的逻辑状态相关的信号。

发明内容

描述一种方法。所述方法可包含：对存储器装置的电容器预充电，其中所述电容器与差分放大器的输入耦合；在对所述电容器预充电之后耦合所述电容器与所述差分放大器的输出；用第一电压加偏压于存储器单元的第一节点；在用所述第一电压加偏压于所述存储器单元的所述第一节点时，耦合所述存储器单元的第二节点与所述差分放大器的所述输入；在耦合所述存储器单元的所述第二节点与所述差分放大器的所述输入时，至少部分基于用第二电压加偏压于所述存储器单元的所述第一节点来产生感测信号；及至少部分基于所述感测信号确定由所述存储器单元存储的逻辑状态。

描述一种设备。所述设备可包含：多个第一存取线，其各自可独立寻址；多个第二存取线，其各自对应于所述多个第一存取线中的相应者；存储器单元，其具有与所述多个第一存取线中的一者耦合的电容性存储元件，所述电容性存储元件经配置以与所述多个第二存取线中的所述者选择性耦合；感测组件；差分放大器，其具有经配置以与所述存储器单元耦合的输入且具有经配置以与所述感测组件耦合的输出；及切换组件，其经配置以跨电容器选择性耦合所述输出与所述输入。