[发明专利]半导体器件及制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成突出高于隔离区域的顶表面的半导体鳍，其中，所述隔离区域延伸到半导体衬底中；

蚀刻所述半导体鳍的一部分以形成沟槽；

用第一电介质材料填充所述沟槽，其中，所述第一电介质材料具有第一带隙；

执行凹陷工艺以使所述第一电介质材料凹陷，其中，在所述隔离区域的相对部分之间形成凹槽；以及

用第二电介质材料填充所述凹槽，其中，所述第一电介质材料和所述第二电介质材料组合形成附加隔离区域，并且其中，所述第二电介质材料具有小于所述第一带隙的第二带隙。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述凹陷工艺之前，用第三电介质材料填充所述沟槽，其中，在所述凹陷工艺中，所述第三电介质材料也被凹陷。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：对所述第一电介质材料和所述第二电介质材料执行平坦化工艺，其中，由所述平坦化工艺露出的暴露表面包括所述第一电介质材料的第一表面和所述第二电介质材料的第二表面。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一表面形成环绕所述第二表面的环。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：蚀刻所述附加隔离区域的一侧上的附加电介质材料，其中，在蚀刻所述附加电介质材料时，所述第二电介质材料具有比所述第一电介质材料更低的蚀刻速率。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电介质材料是均质材料，并且在执行所述凹陷工艺之前所述第一电介质材料填充整个所述沟槽。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一电介质材料包括第一接缝，并且所述第二电介质材料包括在所述第一接缝之上的第二接缝。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沟槽包括低于所述隔离区域的部分。

9.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

隔离区域，延伸到所述半导体衬底中；

电介质区域，包括：

第一层，具有第一带隙，所述第一层包括：

下部，具有与所述半导体衬底接触的底部；以及

上部，高于所述下部，其中，所述上部比所述下部薄；以及

第二层，被所述第一层的所述上部环绕，其中，所述第二层具有低于所述第一带隙的第二带隙。

10.一种半导体器件，包括：

衬底；

隔离区域，延伸到所述衬底中；

半导体鳍，突出高于所述隔离区域的顶表面；

第一外延半导体区域和第二外延半导体区域，延伸到所述半导体鳍中；

将所述第一外延半导体区域和所述第二外延半导体区域彼此分开的隔离区域包括：

第一电介质材料，包括第一部分和第二部分，所述第一部分高于所述半导体鳍，并且所述第二部分低于所述半导体鳍，其中，所述第一部分比所述第二部分窄；以及

第二电介质材料，被所述第一电介质材料的第一部分环绕，其中，所述第二电介质材料包括第三部分和第四部分，所述第三部分高于所述半导体鳍，并且所述第四部分低于所述半导体鳍，并且其中，所述第四部分比所述第三部分窄。