[发明专利]一种高通量掩膜版、高通量薄膜制造设备及制造方法

说明书

本发明适用于高通量掩膜版技术领域，提供了一种高通量掩膜版、高通量薄膜制造设备及制造方法，包括：固定在基片上的单孔掩膜版、以及设置在单孔掩膜版上的梯形掩膜版，所述梯形掩膜版上至少设有第一梯形孔和第二梯形孔，通过所述梯形掩膜版在所述单孔掩膜版上移动的方式溅射薄膜到所述基片上形成薄膜厚度梯度；通过将所述梯形掩膜版移动在所述单孔掩膜版上能够溅射薄膜到基片上，在将梯形掩膜版不断的移动过程中会生长成薄膜厚度梯度，三个方向上的梯度组合形成不同的材料，从而提高了材料的制备效率；本发明提高了高通量材料的制造效率，节约成本，结构简单，适用范围广。

技术领域

本发明属于高通量掩膜版技术领域，尤其涉及一种高通量掩膜版、高通量薄膜制造设备及制造方法。

背景技术

传统的制备材料的方法是采用试错的方法，也就是通过控制变量的方法每次改变成分、温度、气压中某个实验工艺条件制备出不同的材料样本，通过测试从中筛选出合适的材料。制备效率过低，制备成本高，适用范围小。

本发明提出一种利用镀膜掩膜版实验高通量制备材料的方法。一次性制备一组样品，提高制备效率，降低制备成本。

发明内容

本发明提供一种高通量掩膜版、高通量薄膜制造设备及制造方法，旨在解决现有高通量材料制备效率低的问题。

本发明是这样实现的，一种高通量掩膜版，包括：固定在基片上的单孔掩膜版、以及设置在单孔掩膜版上的梯形掩膜版，所述梯形掩膜版上至少设有第一梯形孔和第二梯形孔，通过所述梯形掩膜版在所述单孔掩膜版上移动的方式溅射薄膜到所述基片上形成薄膜厚度梯度。

更进一步地，所述基片上设置有薄膜生长区域，所述单孔掩膜版的孔对应设置在所述薄膜生长区域内。

更进一步地，所述梯形掩膜版移动时控制梯度的边的方向不同，用于控制不同方向上的梯度。

更进一步地，所述第一梯形孔的长边与所述第二梯形孔的短边处在同一直线上。

更进一步地，所述单孔掩膜版上的孔为方形结构。

更进一步地，所述单孔掩膜版上的孔和所述第一梯形孔和所述第二梯形孔的交集随着所述梯形掩膜版的运动在三个方向上单调变化，两所述梯形掩膜版斜边和第一个梯形竖边的移动方向互相形成60°的夹角。

本发明还提供了一种高通量薄膜制造设备，包括：靶材、基片、激光发射装置以及如上述的高通量掩膜版，所述高通量掩膜版设置在所述靶材上方，通过所述激光发射装置发射激光到所述靶材上，用于溅射所述靶材到所述高通量掩膜版的基片上形成薄膜。

本发明还提供了一种高通量薄膜制造方法，包括步骤：

S1、通过将单孔掩膜版与基片固定；

S2、将梯形掩膜版设置在所述单孔掩膜版上，并使所述梯形掩膜版的一端与所述单孔掩膜版的孔一侧对应设置，其中，所述梯形掩膜版上设置多个梯形孔；

S3、切换到靶材A，将所述梯形掩膜版在所述单孔掩膜版的孔上移动会溅射薄膜到所述基片上以形成第一个方向上的薄膜厚度梯度；

S4、切换到靶材B，继续移动所述梯形掩膜版形成第二个方向上的薄膜厚度梯度；

S5、切换到靶材C，继续移动所述梯形掩膜版形成第三个方向上的薄膜厚度梯度。

更进一步地，所述多个梯形孔包括第一梯形孔和第二梯形孔。

更进一步地，还包括步骤：

通过移动所述基片使单孔掩膜版固定到基片的另一个位置上；

重复所述S1-S5步骤。