[发明专利]一种高通量掩膜版、高通量薄膜制造设备及制造方法

权利要求书

1.一种高通量掩膜版，其特征在于，包括：固定在基片上的单孔掩膜版、以及设置在所述单孔掩膜版上的梯形掩膜版，所述梯形掩膜版上至少设有第一梯形孔和第二梯形孔，通过所述梯形掩膜版在所述单孔掩膜版上移动的方式溅射薄膜到所述基片上形成薄膜厚度梯度。

2.如权利要求1所述的高通量掩膜版，其特征在于，所述基片上设置有薄膜生长区域，所述单孔掩膜版的孔对应设置在所述薄膜生长区域内。

3.如权利要求1所述的高通量掩膜版，其特征在于，所述梯形掩膜版移动时控制梯度的边的方向不同，用于控制不同方向上的梯度。

4.如权利要求3所述的高通量掩膜版，其特征在于，所述第一梯形孔的长边与所述第二梯形孔的短边处在同一直线上。

5.如权利要求1所述的高通量掩膜版，其特征在于，所述单孔掩膜版上的孔为方形结构。

6.如权利要求5所述的高通量掩膜版，其特征在于，所述单孔掩膜版上的孔和所述第一梯形孔和所述第二梯形孔的交集随着所述梯形掩膜版的运动在三个方向分别单调变化，两所述梯形掩膜版斜边和第一个梯形竖边的移动方向互相形成60°的夹角。

7.一种高通量薄膜制造设备，其特征在于，包括：靶材、基片、激光发射装置以及如权利要求1-6任一项所述的高通量掩膜版，所述高通量掩膜版设置在所述靶材上方，通过所述激光发射装置发射激光到所述靶材上，用于溅射所述靶材到所述高通量掩膜版的所述基片上形成薄膜。

8.一种高通量薄膜制造方法，其特征在于，包括步骤：

S1、通过将单孔掩膜版与基片固定；

S2、将梯形掩膜版设置在所述单孔掩膜版上，并使所述梯形掩膜版的一端与所述单孔掩膜版的孔一侧对应设置，其中，所述梯形掩膜版上设置多个梯形孔；

S3、切换到靶材A，将所述梯形掩膜版在所述单孔掩膜版的孔上移动会溅射薄膜到所述基片上以形成第一个方向上的薄膜厚度梯度；

S4、切换到靶材B，继续移动所述梯形掩膜版形成第二个方向上的薄膜厚度梯度；

S5、切换到靶材C，继续移动所述梯形掩膜版形成第三个方向上的薄膜厚度梯度。

9.如权利要求8所述的薄膜制造方法，其特征在于，所述多个梯形孔包括第一梯形孔和第二梯形孔。

10.如权利要求8所述的薄膜制造方法，其特征在于，还包括步骤：

通过移动所述基片使所述单孔掩膜版固定到所述基片的另一个位置上；

重复所述S1-S5步骤。