[发明专利]发光器件和具备它的显示面板及其制造方法在审
申请号: | 202011320201.1 | 申请日: | 2020-11-23 |
公开(公告)号: | CN112885871A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 中谷修平;吉田英博;入江一伸 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 具备 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光器件,其具备:
划分像素区域的第一隔堤;
相对于所述第一隔堤配置在上方,规定所述像素区域的第二隔堤;
配置在由所述第一隔堤或第二隔堤所包围的所述像素区域内的发光层,其中,
至少第一隔堤与第二隔堤中的任意一方具有连通部,所述连通部在两个以上的范围连通配置有同色的发光层的所述像素区域。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一隔堤相对于形成所述发光层的墨液的润湿性,高于所述第二隔堤相对于形成所述发光层的墨液的润湿性。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的发光器件,其中,所述第一隔堤的厚度低于所述第二隔堤的厚度。
4.根据权利要求1至权利要求3中任一项所述的发光器件,其中,所述第一隔堤的连通部的大小,小于所述第二隔堤的连通部的大小。
5.根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的发光器件,其中,所述第一隔堤和所述第二隔堤的连通部的、与连通方向垂直的截面的截面积,相对于所述同色的发光层的排列方向,随着从配置在所述基板上的中央部的所述像素区域朝向外侧的所述像素区域而变小。
6.根据权利要求1至权利要求5中任一项所述的发光器件,其中,所述第一隔堤的厚度,高于包含所述发光层在内而配置在所述像素区域内的多个功能层的总厚度。
7.根据权利要求1至权利要求6中任一项所述的发光器件,其中,所述第一隔堤的顶部相对于所述发光层的墨液的静止接触角为5°至30°,所述第二隔堤相对于所述发光层的墨液的静止接触角为30°至70°。
8.根据权利要求1至权利要求7中任一项所述的发光器件,其中,所述发光层包含无机材料的量子点材料。
9.根据权利要求8所述的发光器件,其中,所述第二隔堤的顶部相对于所述发光层的墨液的后退接触角为5°至15°。
10.根据权利要求1至权利要求9中任一项所述的发光器件,其中,划分所述不同发光色的所述像素区域的所述第二隔堤,与所述同色的发光色的所述像素区域排列的方向并行,由两个以上的阶梯形状形成。
11.根据权利要求1至权利要求9中任一项所述的发光器件,其中,在所述第二隔堤的顶部,表面具备凹凸的形状。
12.一种显示面板,其具备权利要求1至权利要求11中任一项所述的发光器件。
13.一种显示面板的制造方法,其包括:
在基板上形成第一隔堤的第一步骤,所述第一隔堤划分形成相同发光色的发光层的像素区域;
形成第二隔堤的第二步骤,所述第二隔堤划分形成不同发光色的发光层的像素区域;
在由第一隔堤或第二隔堤所包围的区域形成发光层的第三步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的