[发明专利]一种TC-SAW的金属电极制造方法

说明书

本发明提供一种TC‑SAW的金属电极制造方法，所述方法包括：于压电材料衬底上沉积第一IDT金属层；形成第一正性光刻胶层；形成一次IDT图形；对所述第一IDT金属层进行刻蚀，以暴露出部分所述压电材料衬底，并形成与所述一次IDT图形相应的指状电极；沉积第二IDT金属层；去除第一正性光刻胶层以及在第一正性光刻胶层上沉积的所述第二IDT金属层，以露出所述第一IDT金属层；在所述第一IDT金属层和所述第二IDT金属层上形成第一介质层；形成第二正性光刻胶层；形成二次IDT图形；剥离部分所述第一介质层以及部分所述第二IDT金属层，以露出部分所述压电材料衬底；去除所述第二正性光刻胶层；在所述第一介质层及暴露出的部分所述压电材料衬底上沉积第二介质层。

技术领域

本发明涉及SAW滤波器，尤其涉及一种温度补偿型SAW(TC-SAW)的金属电极制造方法。

背景技术

声表面波(SAW)滤波器广泛应用于信号接收机前端以及双工器和接收滤波器。SAW滤波器集低插入损耗和良好的抑制性能于一身，可实现宽带宽和小体积。习知的SAW滤波器中，电输入信号通过间插的金属叉指换能器(IDT) 转换为声波，这种IDT是在压电基板上形成的。

在现有的声表面波滤波器的叉指换能器结构制造方法中，一般采用剥离工艺(LIFT-OFF)，即在衬底上采用负性光刻胶通过图案化(例如，通过曝光、显影等方式)制成图形，然后在其上淀积金属膜，再用不侵蚀金属膜的溶剂除去光刻胶。随着光刻胶的去除，胶上的金属被剥离，从而留下预设图形的金属结构。

SAW滤波器的调整频率主要依靠IDT电极线宽来调整，即频率越高线宽越小，如1.9G的一般线宽在0.5μm，而3.5G的一般在0.25μm。随着技术发展， SAW滤波器在高频尤其是未来5G时代的应用频率会越来越高，对线宽要求更为苛刻。

发明内容

发明所要解决的技术问题

然而，现有的SAW制造方法中，由于负胶及剥离工艺的局限，在IDT电极线宽小于0.5μm时，曝光及剥离工艺基本上无法完成，且电极的形貌较难控制，这限制了SAW产品在高频领域的应用。

本发明鉴于上述那样的现有问题而完成，其目的在于，提供一种TC-SAW 的金属电极的制造方法，可在IDT电极线较宽时完成曝光及剥离工艺，并且可控制电极的形貌，由此降低频率温度系数，抑制频率漂移。

解决技术问题的技术方案

在解决上述问题的本发明的一个实施方式中，提供了一种TC-SAW的金属电极制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

于压电材料衬底上沉积第一IDT金属层；

在所述第一IDT金属层上涂覆正性光刻胶，形成第一正性光刻胶层；

对所述第一正性光刻胶层进行图案化，以形成一次IDT图形；

对所述第一IDT金属层进行刻蚀，以暴露出部分所述压电材料衬底，并形成与所述一次IDT图形相应的指状电极；

在呈所述一次IDT图形的所述第一正性光刻胶层及暴露出的部分所述压电材料衬底上沉积第二IDT金属层；

去除所述第一正性光刻胶层以及在所述第一正性光刻胶层上沉积的所述第二IDT金属层，以露出所述第一IDT金属层；

在所述第一IDT金属层和所述第二IDT金属层上形成第一介质层；

在所述第一介质层上涂覆正性光刻胶，形成第二正性光刻胶层；

对所述第二正性光刻胶层进行图案化，以形成二次IDT图形，其中所述二次IDT图形中的指状电极宽度大于所述一次IDT图形中的指状电极宽度；