[发明专利]一种TC-SAW的金属电极制造方法

权利要求书

1.一种TC-SAW的金属电极制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

于压电材料衬底上沉积第一IDT金属层；

在所述第一IDT金属层上涂覆正性光刻胶，形成第一正性光刻胶层；

对所述第一正性光刻胶层进行图案化，以形成一次IDT图形；

对所述第一IDT金属层进行刻蚀，以暴露出部分所述压电材料衬底，并形成与所述一次IDT图形相应的指状电极；

在呈所述一次IDT图形的所述第一正性光刻胶层及暴露出的部分所述压电材料衬底上沉积第二IDT金属层；

去除所述第一正性光刻胶层以及在所述第一正性光刻胶层上沉积的所述第二IDT金属层，以露出所述第一IDT金属层；

在所述第一IDT金属层和所述第二IDT金属层上形成第一介质层；

在所述第一介质层上涂覆正性光刻胶，形成第二正性光刻胶层；

对所述第二正性光刻胶层进行图案化，以形成二次IDT图形，其中所述二次IDT图形中的指状电极宽度大于所述一次IDT图形中的指状电极宽度；

利用经图案化的所述第二正性光刻胶层作为掩模，剥离所述指状电极之间的部分所述第一介质层以及部分所述第二IDT金属层以露出部分所述压电材料衬底；

去除所述第二正性光刻胶层；

在所述第一介质层及暴露出的部分所述压电材料衬底上沉积第二介质层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，利用经图案化的所述第二正性光刻胶层作为掩模，剥离所述指状电极之间的部分所述第一介质层，保留形成在各指状电极侧面的部分所述第一介质层，并剥离所述指状电极之间的部分所述第二IDT金属层以露出部分所述压电材料衬底，保留形成在各指状电极侧面的部分所述第二IDT金属层。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，形成在各指状电极侧面的部分所述第二IDT金属层的宽度比所述指状电极的宽度小50～300nm。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述压电材料衬底由钽酸锂或锂酸锂形成。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一IDT金属层和所述第二IDT金属层为Al层、Al/Cu的组合层、或Ti/AL/Cu的组合层。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一IDT金属层的厚度为50～200nm，所述第二IDT金属层的厚度为15～100nm。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一正性光刻胶层厚度为1um～2um，所述第二正性光刻胶层的厚度为1um～3um。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介质层及所述第二介质层由SiO₂形成。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述指状电极宽度为200～500nm。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介质层的厚度为100～500nm，所述第二介质层的厚度为50～300nm。