[发明专利]一种基于高静压结构的温度-压力差压传感器有效

专利信息
申请号: 202011293090.X 申请日: 2020-11-18
公开(公告)号: CN112097840B 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 焦祥锟;兰之康;周德志 申请(专利权)人: 南京高华科技股份有限公司
主分类号: G01D21/02 分类号: G01D21/02;G01L19/00
代理公司: 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 代理人: 李明;赵吉阳
地址: 210046 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 静压 结构 温度 压力 传感器
【说明书】:

发明提供一种基于高静压结构的温度‑压力差压传感器,属于机械技术领域。温度‑压力差压传感器包括:底座、两个感压组件以及至少一个感温元件。其中,底座沿其长度方向的两侧分别设置有进压口,两个感压组件对称设置在底座的两侧,每个感压组件对应一个进压口,以分别检测底座两侧进压口介质的压力信号,得到压力差数据。至少一个感温元件设置在底座的至少一侧,与相应的进压口相对应,以检测进压口介质的温度数据,以实现通过进压口把介质温度和外加压力转变为能够被感知的模拟信号,既可检测差压信号又能得到不同进压口的温度数据,该产品能同时测量温度和压力,还能根据顾客的要求互换低压和高压进压口,减少研发种类和节省时间和成本。

技术领域

本发明属于机械技术领域,具体涉及一种基于高静压结构的温度-压力差压传感器。

背景技术

当前,市场上用于测量温度与压差传感器,多以温度传感器和差压芯体分开单独封装来实现,一款型号对应一款结构设计,且多用于低压环境,无法同时对介质的温度和压力差进行测量,这对使用造成极大的不便。

因此,基于上述技术问题,本发明提出了一种基于高静压结构的温度-压力差压传感器,以实现测量压力差的同时还能测量不同进压口的温度数据。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种基于高静压结构的温度-压力差压传感器。

本发明提供一种基于高静压结构的温度-压力差压传感器,包括:底座、两个感压组件以及至少一个感温元件;其中,

所述底座沿其长度方向的两侧分别设置有进压口;

所述两个感压组件对称设置在所述底座的两侧,每个所述感压组件对应一个所述进压口,以分别检测所述底座两侧进压口介质的压力信号,得到压力差数据;

至少一个所述感温元件设置在所述底座的至少一侧,与相应的所述进压口相对应,以检测所述进压口介质的温度数据。

可选的,所述感压组件包括感压膜片、感压芯片;其中,

所述感压芯片设置在所述底座中,所述感压膜片设置在所述感压芯片和所述进压口之间;并且,所述感压膜片和感压芯片之间填充有硅油。

可选的,所述温度-压力差压传感器包括一个感温元件,所述感温元件设置在任一个所述感压芯片沿所述底座宽度方向的第一侧,并且,所述感温元件位于所述硅油中。

可选的,所述温度-压力差压传感器包括两个感温元件,所述两个感温元件对称设置在所述底座的两侧,且每个所述感温元件设置在对应的所述感压芯片沿所述底座宽度方向的第一侧;以及,所述感温元件位于所述硅油中。

可选的,所述感温元件采用PT1000铂电阻。

可选的,每个所述感压芯片沿所述底座宽度方向的第二侧设置有硅油填充腔与密封件;其中,

所述硅油填充腔的一端穿设在所述底座中,并连通所述硅油,所述硅油填充腔的另一端延伸至所述底座的外部,并且,所述密封件位于所述硅油填充腔的另一端,以密封所述硅油填充腔。

可选的,每个所述感压芯片沿所述底座宽度方向的第一侧和第二侧均设置有应力释放环;其中,

两侧的所述应力释放环均夹设在所述硅油与所述底座中,以及,第二侧的所述应力释放环连通所述硅油填充腔以及所述硅油,以释放硅油膨胀产生的应力。

可选的,每个所述感压芯片沿所述底座宽度方向的两侧还设置有引脚和引线,各所述引脚穿设在所述底座中;其中,

各所述引脚的第一端穿过所述应力释放环位于所述硅油中,并通过各所述引线与所述感压芯片和/或所述感温元件连接;

各所述引脚的第二端延伸至所述底座的外部。

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