[发明专利]一种基于高静压结构的温度-压力差压传感器

权利要求书

1.一种基于高静压结构的温度-压力差压传感器，其特征在于，包括：底座、两个感压组件以及至少一个感温元件；其中，

所述底座沿其长度方向的两侧分别设置有进压口；

所述两个感压组件对称设置在所述底座的两侧，每个所述感压组件对应一个所述进压口，以分别检测所述底座两侧进压口介质的压力信号，得到压力差数据；其中，所述感压组件包括感压膜片、感压芯片；其中，

所述感压芯片设置在所述底座中，所述感压膜片设置在所述感压芯片和所述进压口之间；并且，所述感压膜片和所述感压芯片之间填充有硅油，每个所述感压芯片沿所述底座宽度方向的第一侧和第二侧均设置有应力释放环，两侧的所述应力释放环均夹设在所述硅油与所述底座中；

至少一个所述感温元件设置在所述底座的至少一侧，所述感温元件位于所述硅油中，与相应的所述进压口相对应，以检测所述进压口介质的温度数据。

2.根据权利要求1所述的基于高静压结构的温度-压力差压传感器，其特征在于，所述温度-压力差压传感器包括一个感温元件，所述感温元件设置在任一个所述感压芯片沿所述底座宽度方向的第一侧。

3.根据权利要求1所述的基于高静压结构的温度-压力差压传感器，其特征在于，所述温度-压力差压传感器包括两个感温元件，所述两个感温元件对称设置在所述底座的两侧，且每个所述感温元件设置在对应的所述感压芯片沿所述底座宽度方向的第一侧；以及，所述感温元件位于所述硅油中。

4.根据权利要求2或3所述的基于高静压结构的温度-压力差压传感器，其特征在于，所述感温元件采用PT1000铂电阻。

5.根据权利要求4所述的基于高静压结构的温度-压力差压传感器，其特征在于，每个所述感压芯片沿所述底座宽度方向的第二侧设置有硅油填充腔与密封件；其中，

所述硅油填充腔的一端穿设在所述底座中，并连通所述硅油，所述硅油填充腔的另一端延伸至所述底座的外部，并且，所述密封件位于所述硅油填充腔的另一端，以密封所述硅油填充腔。

6.根据权利要求5所述的基于高静压结构的温度-压力差压传感器，其特征在于，所述感压芯片第二侧的所述应力释放环连通所述硅油填充腔以及所述硅油，以释放硅油膨胀产生的应力。

7.根据权利要求6所述的基于高静压结构的温度-压力差压传感器，其特征在于，每个所述感压芯片沿所述底座宽度方向的两侧还设置有引脚和引线，各所述引脚穿设在所述底座中；其中，

各所述引脚的第一端穿过所述应力释放环位于所述硅油中，并通过各所述引线与所述感压芯片和/或所述感温元件连接；

各所述引脚的第二端延伸至所述底座的外部。

8.根据权利要求7所述的基于高静压结构的温度-压力差压传感器，其特征在于，所述底座内设置有多个绝缘套筒，各所述引脚穿设在所述绝缘套筒中。

9.根据权利要求5至8任一项所述的基于高静压结构的温度-压力差压传感器，其特征在于，所述温度-压力差压传感器还包括多个连接件，每个所述连接件分别连接所述底座与对应的所述感压膜片。