[发明专利]一种百千伏超快电子衍射装置

权利要求书

1.一种百千伏超快电子衍射装置，包括电子枪本体，其特征在于，所述电子枪本体包括电子枪腔室及内部的直流光阴极电子枪本体、磁透镜、样品室、泵浦光背入射单元、法拉第筒腔室和成像装置，所述样品室侧面固定安装有样品位移台，所述样品位移台内部固定设置有样品固定装置，所述样品室底部固定设置有钛升华泵、离子泵、分子泵和真空测量装置，所述直流光阴极电子枪本体的阴极中心与样品室内部空间中心的连线为第一中心轴线。

2.根据权利要求1所述的一种百千伏超快电子衍射装置，其特征在于，所述电子枪腔室朝向样品室一侧的底面开有第一真空刀口，所述电子枪本体固定安装于电子枪腔室中，所述电子枪腔室前后两端均固定开设有第一观察窗和第二观察窗，所述第一观察窗中心位于XY平面上，所述电子枪腔室上端固定安装有高压电极，所述第二观察窗的中心与高压电极的电极线的末端处于同一高度，所述电子枪腔室的前面板固定开设有第一刀口，所述电子枪腔室外部固定开设有六个螺纹孔。

3.根据权利要求1或2所述的百千伏超快电子衍射装置，其特征在于，所述磁透镜由铜导线绕制而成；

优选地，所述铜导线的直径为0.5～1.5mm，优选为0.8～1.2mm，最优选为1mm；和/或

优选地，所述磁透镜总共30～80层，每层10～30匝；更优选地，所述磁透镜总共50～60层，每层15～25匝；最优选地，所述磁透镜总共52层，每层20匝。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的百千伏超快电子衍射装置，其特征在于，所述样品室呈正方形六通结构，所述样品室具有内嵌的凹槽，所述磁透镜上固定设置有主体磁线圈，所述主体磁线圈前端固定安装有固定二通，所述主体磁线圈后端固定安装有空隙；

优选地，所述凹槽深度为5～20mm，更优选为5～15mm，最优选为10mm。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的百千伏超快电子衍射装置，其特征在于，所述样品室前端固定开设有凹槽，所述样品室上端固定安装有第三观察窗，所述样品室的左右两端和上端均固定开设有窗口，所述样品室上端四角边缘处固定设置有切面，所述样品室后端固定安装有第一固定法兰；

优选地，所述第三观察窗的法兰圆中心距离样品室内部空间中心为100～120mm，更优选为110～120mm，最优选为119.3mm。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的百千伏超快电子衍射装置，其特征在于，所述泵浦光背入射单元内壁固定设置有反射镜，所述泵浦光背入射单元上端固定安装有调节装置，所述泵浦光背入射单元后端固定设置有第二刀口，所述泵浦光背入射单元为一六通，所述泵浦光背入射单元前后两侧固定安装有第三固定法兰，所述泵浦光背入射单元上端固定安装盲板法兰和法兰观察窗，所述泵浦光背入射单元通过第三固定法兰与样品室后侧的第一固定法兰连接，所述反射镜固定安装于调节装置上。

7.根据权利要求6所述的百千伏超快电子衍射装置，其特征在于，所述第三固定法兰外径为150～160mm，优选为150～155mm，最优选为152mm；和/或

所述反射镜直径为0.5～2英寸，优选为0.5～1.5英寸，最优选为1英寸。

8.根据权利要求6或7所述的百千伏超快电子衍射装置，其特征在于，所述盲板法兰上端固定开设有第二刀口，所述第二刀口的圆心距离所述盲板法兰的圆心20～30mm，优选为20～25mm，最优选为23mm。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的百千伏超快电子衍射装置，其特征在于，所述反射镜与水平线的夹角为30.7度～50.4度。

10.根据权利要求9所述的百千伏超快电子衍射装置，其特征在于，所述反射镜与水平线的夹角为50.4度时形成第一光线路径，所述反射镜与水平线的夹角为41.5度时形成第二光线路径，所述反射镜与水平线的夹角为为30.7度时形成第三光线路径，所述反射镜可形成中间成像(18-1)和最远成像(18-2)。