[发明专利]磁阻位移测量装置在审

专利信息
申请号: 202011279095.7 申请日: 2020-11-16
公开(公告)号: CN114508993A 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 梅辉;安德里亚斯·沃斯;杨峰 申请(专利权)人: 精量电子(深圳)有限公司;泰连传感器德国有限公司
主分类号: G01B7/02 分类号: G01B7/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汪洋
地址: 518057 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 磁阻 位移 测量 装置
【权利要求书】:

1.一种磁阻位移测量装置,其特征在于,包括:

一个磁性标尺(20),可沿其长度方向移动;和

多个磁阻传感器(10),沿所述磁性标尺(20)的长度方向均匀间隔分布,用于检测所述磁性标尺(20)的位移,

所述多个磁阻传感器(10)串联电连接,并且相邻两个磁阻传感器(10)之间的间距等于所述磁性标尺(20)的长度H。

2.根据权利要求1所述的磁阻位移测量装置,其特征在于:

所述磁阻传感器(10)的数量为N个,并且N为大于或等于2的正整数;

所述磁性标尺(20)在其长度方向上的行程S等于所述磁性标尺(20)的长度H的N倍。

3.根据权利要求1所述的磁阻位移测量装置,其特征在于:

所述磁阻传感器(10)的数量为2个,并且所述磁性标尺(20)在其长度方向上的行程S等于所述磁性标尺(20)的长度H的2倍。

4.根据权利要求1所述的磁阻位移测量装置,其特征在于:

所述磁阻传感器(10)的数量为3个,并且所述磁性标尺(20)在其长度方向上的行程S等于所述磁性标尺(20)的长度H的3倍。

5.根据权利要求1所述的磁阻位移测量装置,其特征在于:

所述磁阻传感器(10)的数量为4个,并且所述磁性标尺(20)在其长度方向上的行程S等于所述磁性标尺(20)的长度H的4倍。

6.根据权利要求2所述的磁阻位移测量装置,其特征在于:所述磁性标尺(20)可沿其长度方向在一个安装空间中移动。

7.根据权利要求6所述的磁阻位移测量装置,其特征在于:

当所述安装空间在所述磁性标尺(20)的长度方向上的尺寸等于L时,

所述磁性标尺(20)的长度H被设计成等于L*1/(N+1),所述磁性标尺(20)的行程S被设计成等于L*N/(N+1)。

8.根据权利要求7所述的磁阻位移测量装置,其特征在于:

所述磁阻传感器(10)的数量为2个,所述磁性标尺(20)的长度H被设计成等于L*1/3,所述磁性标尺(20)的行程S被设计成等于L*2/3。

9.根据权利要求7所述的磁阻位移测量装置,其特征在于:

所述磁阻传感器(10)的数量为3个,所述磁性标尺(20)的长度H被设计成等于L*1/4,所述磁性标尺(20)的行程S被设计成等于L*3/4。

10.根据权利要求7所述的磁阻位移测量装置,其特征在于:

所述磁阻传感器(10)的数量为4个,所述磁性标尺(20)的长度H被设计成等于L*1/5,所述磁性标尺(20)的行程S被设计成等于L*4/5。

11.根据权利要求7所述的磁阻位移测量装置,其特征在于:

所述安装空间在所述磁性标尺(20)的长度方向上的尺寸L被所述N个磁阻传感器(10)等分成N+1等份。

12.根据权利要求1所述的磁阻位移测量装置,其特征在于:

每个磁阻传感器(10)具有一个第一输出端(1)和一个第二输出端(2),并且相邻两个磁阻传感器(10)中的一个的第一输出端(1)与另一个的第二输出端(2)电连接。

13.根据权利要求1所述的磁阻位移测量装置,其特征在于:

所述磁性标尺(20)包括由非导磁材料制成的基体(21)和形成在所述基体(21)上的多个磁性体(22),所述多个磁性体(22)沿所述磁性标尺(20)的长度方向均匀间隔分布。

14.根据权利要求13所述的磁阻位移测量装置,其特征在于:

所述磁性体(22)为涂敷、化学沉积或电镀在所述基体(21)上的矩形磁性膜。

15.根据权利要求1所述的磁阻位移测量装置,其特征在于:

当所述磁性标尺(20)相对于所述磁阻传感器(10)移动时,所述磁阻传感器(10)与所述磁性标尺(20)之间的磁场强度会发生周期性变化;

所述磁阻传感器(10)中的磁敏电阻的阻值随所述磁场强度周期性变化,从而可根据所述磁敏电阻的阻值的周期性变化信号计算出所述磁性标尺(20)的位移量。

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