[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202011278538.0 | 申请日: | 2020-11-16 |
公开(公告)号: | CN114512510A | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 丁景隆;周政旭;曾名骏;陈韵升;张志雄;陈良禄 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/15 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
本公开提供一种显示装置,包括一基板;一通道层,设置于所述基板上,包括第一通道层与第二通道层;第一金属层,设置于所述通道层上,包括第一栅极与第二栅极;以及第二金属层,设置于第一金属层上,包括第一源极、第一漏极与第二源极。其中第一栅极、第一源极、第一漏极与第一通道层形成第一晶体管,而第二栅极、第二源极、第一漏极与第二通道层形成第二晶体管。其中第一晶体管与第二晶体管并联。
技术领域
本公开是有关于一种显示装置,特别是有关于一种栅极与源极/漏极以同心围绕的方式设置的显示装置。
背景技术
在显示装置中,薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)是一种被广泛运用来驱动像素(例如发光元件)的技术。然而,现行的薄膜晶体管仍存在一些问题。新型的显示装置中,往往需要较大的电流来驱动发光元件(light emitting unit)。然而,若是由单一晶体管来驱动发光元件,则该晶体管可能会承受过大的电流而使寿命缩短或可靠度降低。
晶体管的隆起效应(hump effect)将造成可靠度的降低。在现行的薄膜晶体管中,通道层的两侧的边缘区域具有坡度轮廓。在这些边缘区域中,通道层与栅极之间的薄层(例如:栅极绝缘层)会具有不均匀的厚度。举例来说,在边缘区域上的栅极绝缘层的厚度,低于中央区域上的栅极绝缘层的厚度。因此在边缘区域中,会形成不同于中央TFT的边缘(Edge)TFT。
在边缘TFT中,较薄的栅极绝缘层可能会因为操作时的栅极电压而捕捉(trap)电子(或空穴)。这些电子(或空穴)在累积后,会发生隆起效应并使得装置的临界电压(threshold voltage,Vth)产生偏移。Vth的偏移会对装置特性造成影响,特别是对开关特性造成影响,使得装置无法在预设的电压或电流下正常操作,进而使装置的可靠度降低。
因此,需要一种显示装置,能够集合多个薄膜晶体管以提供大电流并进而增加薄膜晶体管的耐用度。或者,需要一种薄膜晶体管能够解决隆起效应并增加薄膜晶体管的可靠度。
发明内容
本公开实施例提供一种显示装置。上述显示装置包括一基板;设置于所述基板上的一通道层,所述通道层包括第一通道层与第二通道层;设置于所述通道层上的第一金属层,第一金属层包括第一栅极与第二栅极;以及设置于第一金属层上的第二金属层,第二金属层包括第一源极、第一漏极与第二源极。其中第一栅极、第一源极、第一漏极与第一通道层形成第一晶体管,而第二栅极、第二源极、第一漏极与第二通道层形成第二晶体管。其中第一晶体管与第二晶体管并联。
附图说明
本公开从后续实施方式及附图可更佳理解。须强调的是,依据产业的标准作法,各种特征并未按比例绘制,并仅用于说明的目的。事实上,各种特征的尺寸可能任意增加或减少以清楚论述。亦须强调的是,所附的附图仅出示本公开的典型实施例,不应认为是对范围的限制,因为本公开亦可适用于其他实施例。
图1是根据本公开实施例所示的电路的示意图。
图2是根据本公开实施例所示的俯视图,显示电路中的并联的驱动晶体管的布局。
图3是根据本公开实施例所示,图2的布局的截面图。
图4是根据本公开实施例所示,图2的布局的截面图。
图5是根据本公开实施例所示的俯视图,显示电路中的并联的驱动晶体管的布局。
图6是根据本公开实施例所示的俯视图,显示电路中的并联的驱动晶体管的布局。
1:显示装置
100:电路
110:数据线
120:扫描线
130:开关晶体管
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的