[发明专利]紫外LED结构及其制备方法

权利要求书

1.一种制备紫外LED结构的方法，其特征在于，包括：

将衬底置于生长反应室中，在衬底的一个表面上依次生长非掺杂AlN层、非掺杂AlGaN层和N型掺杂AlGaN层；

在所述N型掺杂AlGaN层上依次生长AlGaN量子阱结构和AlGaN电子阻挡层；

所述AlGaN量子阱结构由AlGaN量子阱层和AlGaN量子垒交替生长获得；

在所述AlGaN电子阻挡层上纵向生长P型纳米柱；

对所述P型纳米柱蒸镀P电极，对所述N型掺杂AlGaN层蒸镀N电极；

在所述AlGaN电子阻挡层上纵向生长P型纳米柱后，对所述P型纳米柱进行绝缘层填充，然后蒸镀N电极和P电极后去除所述绝缘层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，生长所述P型纳米柱包括：

向生长反应室中单独通入III族金属源，在所述衬底表面形成金属薄层；

金属薄层经退火形成金属小球；

在所述金属小球处形成纳米柱，然后采用P型掺杂，形成所述P型纳米柱。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述P型纳米柱为P型AlGaN纳米柱或P型GaN纳米柱。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非掺杂AlN层和所述非掺杂AlGaN层的厚度分别为10~5000nm，所述非掺杂AlGaN层中的Al含量为15%~95%；

所述N型掺杂AlGaN层的厚度为10~5000nm，其中Al含量为15%~95%。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述AlGaN量子阱层和所述AlGaN量子垒的生长层数相同，均为2~20层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述AlGaN量子阱层和所述AlGaN量子垒中Al组分为15%~85%；

所述AlGaN量子阱层的厚度为1~10nm，所述AlGaN量子垒的厚度为1~20nm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述AlGaN电子阻挡层由相同或者不同Al组分的AlGaN交替生长获得，所述AlGaN电子阻挡层的厚度为10~200nm，Al组分为15%~95%。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述P型纳米柱的直径为10nm~1000nm。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，所述N电极和所述P电极为金属Au、Ag、Sn、Cu、Cr、Mn、Ni或Ti，或者为金属Au、Ag、Sn、Cu、Cr、Mn、Ni或Ti的化合物。