[发明专利]一种亚微米级掺杂氧化钨基粉体及制备方法和应用有效
申请号: | 202011266671.4 | 申请日: | 2020-11-13 |
公开(公告)号: | CN112374542B | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 高明;张虎;张花蕊;杨本润 | 申请(专利权)人: | 北京航大微纳科技有限公司 |
主分类号: | C01G41/02 | 分类号: | C01G41/02;C04B35/495;C04B35/624 |
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地址: | 100089 北京市海淀区学*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微米 掺杂 氧化钨 基粉体 制备 方法 应用 | ||
1.一种亚微米级掺杂氧化钨基粉体,其特征在于:为包含氧化钨和掺杂源的混合粉体,所述混合粉体中掺杂源元素的总质量分数为5-50%,所述掺杂源的掺杂元素选自Ti、Mo、V、Al、Li、Zr中的至少三种,所述混合粉体的纯度大于99.95%,平均粒径500nm-1800nm,D50粒径在200-750nm;定义M1为50-100nm粒度段粉体颗粒质量分数,M2为100-400nm粒度段粉体颗粒质量分数,M3为400-700nm粒度段粉体颗粒质量分数,M4为700nm-1μm粒度段粉体颗粒质量分数,M5为>1μm粒度段粉体颗粒质量分数,那么M1、M2、M3、M4、M5的数量关系符合公式:。
2.根据权利要求1所述的亚微米级掺杂氧化钨基粉体,其特征在于:所述混合粉体中掺杂源元素的总质量分数为10-40%。
3.根据权利要求1所述的亚微米级掺杂氧化钨基粉体,其特征在于:所述Ti元素的质量分数范围是0-15%,所述Mo元素的质量分数范围是0-15%,所述V元素的质量分数范围是0-10%,所述Al元素的质量分数范围是0-2%,所述Li元素的质量分数范围是0-2%,所述Zr元素的质量分数范围是0-2%。
4.根据权利要求3所述的亚微米级掺杂氧化钨基粉体,其特征在于:所述Ti元素的质量分数范围是1-12%,所述Mo元素的质量分数范围是1-12%,所述V元素的质量分数范围是0.5-10%,所述Al元素的质量分数范围是0.1-2%,所述Li元素的质量分数范围是0.1-2%,所述Zr元素的质量分数范围是0.1-2%。
5.根据权利要求1所述的亚微米级掺杂氧化钨基粉体,其特征在于:所述掺杂源组分配比选用下列几组中的其中一组:
第一组:所述掺杂源元素选用Mo、Li、Zr,质量分数范围为Mo 5-10%,Li 0.1-1.5%,Zr0.2-2%;
第二组:所述掺杂源元素选用Ti、Mo、Zr,质量分数范围为Ti 5-10%,Mo 5-10%,Zr0.3-2%;
第三组:所述掺杂源元素选用Li、Al、Zr,质量分数范围为Li 1-2%,Al 0.1-1%,Zr0.3-2%;
第四组:所述掺杂源元素选用Mo、V、Al,质量分数范围为Mo 5-10%,V 1-10%,Al 0.1-0.8%;
第五组:所述掺杂源元素选用Ti、V、Zr、Al,质量分数范围为Ti 5-10%,V 1-10%,Zr0.2-2%,Al 0.2-0.8%;
第六组:所述掺杂源元素选用Mo、Ti、V、Zr,质量分数范围为Mo 5-10%,Ti 5-10%,V3-6%,Zr 0.5-2%;
第七组:所述掺杂源元素选用Mo、Li、Ti、Al、Zr,质量分数范围为Mo 5-10%,Li 1-2%,Ti 5-10%,Al 0.2-0.8%,Zr 0.5-2%。
6.根据权利要求1所述的亚微米级掺杂氧化钨基粉体,其特征在于:所述掺杂源组分按照摩尔比选用下列几组中的其中一组:
第一组:Mo:Li:Zr=(0-10):(0-15):(0-2);
第二组:Ti:Mo:Zr=(0-15):(0-10):(0-2);
第三组:Li:Al:Zr=(0-15):(0-2):(0-2);
第四组:Mo:V:Al=(0-10):(0-10):(0-2);
第五组:Ti:V:Zr:Al=(0-15):(0-10):(0-2):(0-2);
第六组:Mo:Ti:V:Zr=(0-10):(0-15):(0-10):(0-2);
第七组:Mo:Li:Ti:Al:Zr=(0-10):(0-10):(0-15):(0-2):(0-2)。
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