[发明专利]一种半导体器件的制造方法

说明书

本发明公开了一种半导体器件的制造方法，至少包括步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括第一半导体有源区；形成一多晶硅层于所述半导体衬底上，所述多晶硅层上定义有栅极图形；形成图案化的光阻层于所述多晶硅层上，所述图案化的光阻层覆盖所述第一半导体有源区与所述栅极图形重叠的区域；以所述图案化的光阻层为掩膜，对所述多晶硅层注入离子；去除所述图案化的光阻层，对所述多晶硅层进行退火；蚀刻所述多晶硅层，以形成栅极。通过本发明提供的一种半导体器件的制造方法，可提高所述半导体器件的栅极性能。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种半导体器件的制造方法。

背景技术

随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件为了达到更快的运算速度、更大的数据存储量以及更多的功能，集成电路芯片朝向更高的元件密度、高集成度方向发展。在半导体器件的发展过程中，栅极的质量直接影响着晶体管的性能及半导体器件的质量。在现有的半导体器件制造过程中，直接对多晶硅层注入一定预定深度的离子降低半导体器件的阈值电压，提高半导体器件的性能，但是现有工艺中，在对多晶硅层预掺杂的过程中，导致多晶硅层中的晶粒增长，进而产生沟道效应，导致栅极漏电，损坏半导体器件的质量。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件的制造方法，通过本发明提供的一种半导体器件的制造方法，提高栅极质量以提高所述半导体器件的质量。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明提供一种半导体器件的制造方法，其至少包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括第一半导体有源区；

形成一多晶硅层于所述半导体衬底上，并在所述多晶硅层上定义栅极图形；

形成图案化的光阻层于所述多晶硅层上，所述图案化的光阻层覆盖所述第一半导体有源区与所述栅极图形重叠的区域；

以所述图案化的光阻层为掩膜，对所述多晶硅层注入预定深度的离子；

去除所述图案的化光阻层，对所述多晶硅层进行退火；

根据所述栅极图形蚀刻所述多晶硅层，以形成栅极。

在本发明一实施例中，所述半导体衬底还包括第二半导体有源区，且所述第二半导体有源区和所述第一半导体有源区为不同类型的有源区。

在本发明一实施例中，所述半导体衬底还包括第一沟槽隔离结构，所述第一沟槽隔离结构位于所述第一半导体有源区相对于所述第二半导体有源区的另一侧。

在本发明一实施例中，所述半导体衬底还包括第二沟槽隔离结构，所述第二沟槽隔离结构位于所述第一半导体有源区和所述第二半导体有源区之间。

在本发明一实施例中，所述半导体衬底还包括第三沟槽隔离结构，所述第三沟槽隔离结构位于所述第二半导体有源区相对于所述第一半导体有源区的另一侧。

在本发明一实施例中，所述图案化的光阻层包括第一光阻层和第二光阻层，所述第一光阻层覆盖所述第一半导体有源区与所述栅极图形重叠的区域，所述第二光阻层覆盖所述第二半导体有源区、所述第三沟槽隔离结构和部分所述第二沟槽隔离结构。

在本发明一实施例中，在形成所述多晶硅层于所述半导体衬底上之前，还包括在所述半导体衬底上形成一氧化层。

在本发明一实施例中，在蚀刻所述多晶硅层形成所述栅极之前，还包括在所述多晶硅层上形成第三光阻层和第四光阻层，所述第三光阻层覆盖第一栅极区，所述第四光阻层覆盖第二栅极区。

在本发明一实施例中，所述第一栅极区为所述栅极图形在所述半导体衬底上的正投影与所述第一半导体有源区重叠部分正上方的多晶硅层；所述第二栅极区为所述栅极图形在所述半导体衬底上的正投影与所述第二半导体有源区重叠部分正上方的多晶硅层。