[发明专利]激光芯片

说明书

本发明公开一种激光芯片，该激光芯片包括层叠设置的多个有源区以及设置于多个有源区上的外延层；激光芯片沿垂直于多个有源区层叠方向的延伸方向依次包括打线段和电流注入段，打线段与电流注入段之间设置有两个贯穿外延层与多个有源区的第一隔离槽，两个第一隔离槽之间形成连通打线段和电流注入段的栈桥，打线段、栈桥以及电流注入段的表面设置有金属导电层；金属导电层和打线段之间、金属导电层和栈桥之间设置有绝缘层。通过上述方式，本发明能够降低加工难度。

技术领域

本发明涉及半导体激光领域，特别涉及一种激光芯片。

背景技术

多有源区半导体激光芯片由多个有源区在一个芯片上通过外延生长串联而成。在电流从P型电极穿过多个有源区并到达N型电极，从而使得有源区发光。

如图8所示，现有技术中，为了防止电流横向扩散以及限制发光区域的宽度，会在电流注入段的两侧设置隔离槽，且由于电流注入段的表面的面积较小，会在隔离槽另一侧的打线段的表面设置导电层，并沿着隔离槽的槽壁延伸至电流注入段的表面，从而实现电流的注入。

但是沿着隔离槽的槽壁设置导电层的加工难度较大。

发明内容

本发明提供一种激光芯片，以解决现有技术中沿着隔离槽设置导电层的加工难度较大的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种激光芯片，所述激光芯片包括层叠设置的多个有源区以及设置于所述多个有源区上的外延层；其中，所述激光芯片沿垂直于所述多个有源区层叠方向的延伸方向依次包括打线段和电流注入段，所述打线段与电流注入段之间设置有两个贯穿所述外延层与所述多个有源区的第一隔离槽，两个所述第一隔离槽之间形成连通所述打线段和电流注入段的栈桥，所述打线段、栈桥以及所述电流注入段的表面设置有金属导电层；其中，所述金属导电层和所述打线段之间、所述金属导电层和所述栈桥之间设置有绝缘层。

根据本发明提供的一实施方式，所述激光芯片还包括位于所述电流注入段远离所述打线段一侧的子段，所述子段与所述电流注入段之间设置有贯穿所述外延层与所述多个有源区的第二隔离槽。

根据本发明提供的一实施方式，所述第一隔离槽为多个，相邻两个所述第一隔离槽之间设置有所述栈桥。

根据本发明提供的一实施方式，所述栈桥与所述打线段或电流注入段一体成型设置。

根据本发明提供的一实施方式，所述栈桥通过在所述第一隔离槽中填充绝缘段而形成。

根据本发明提供的一实施方式，所述栈桥为绝缘导热体。

根据本发明提供的一实施方式，所述有源区包括依次层叠设置的P型包覆层、P型波导层、第一量子阱层、势垒层、第二量子阱层、N型波导层以及N型包覆层。

根据本发明提供的一实施方式，所述栈桥沿着垂直于所述延伸方向和所述层叠方向的分布方向上的长度小于或等于所述激光芯片的腔体长度的30％；

根据本发明提供的一实施方式，所述栈桥沿着垂直于所述延伸方向和所述层叠方向的分布方向上的长度小于或等于所述电流注入段沿着所述延伸方向上的长度的两倍。

根据本发明提供的一实施方式，所述栈桥沿着垂直于所述延伸方向和所述层叠方向的分布方向上的长度大于或等于60μm，小于或等于80μm。

根据本发明提供的一实施方式，所述激光芯片还包括衬底，所述衬底设置于所述多个有源区远离所述外延层的一侧。