[发明专利]激光芯片

权利要求书

1.一种激光芯片，其特征在于，所述激光芯片包括层叠设置的多个有源区以及设置于所述多个有源区上的外延层；

其中，所述激光芯片沿垂直于所述多个有源区层叠方向的延伸方向依次包括打线段和电流注入段，所述打线段与所述电流注入段之间设置有两个贯穿所述外延层与所述多个有源区的第一隔离槽，两个所述第一隔离槽之间形成连通所述打线段和电流注入段的栈桥，所述打线段、所述栈桥以及所述电流注入段的表面设置有金属导电层；

其中，所述金属导电层和所述打线段之间、所述金属导电层和所述栈桥之间设置有绝缘层。

2.根据权利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述激光芯片还包括位于所述电流注入段远离所述打线段一侧的子段，所述子段与所述电流注入段之间设置有贯穿所述外延层与所述多个有源区的第二隔离槽。

3.根据权利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述第一隔离槽为多个，相邻两个所述第一隔离槽之间设置有所述栈桥。

4.根据权利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述栈桥与所述打线段或电流注入段一体成型设置。

5.根据权利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述栈桥通过在所述第一隔离槽中填充绝缘段而形成。

6.根据权利要求5所述的激光芯片，其特征在于，所述栈桥为绝缘导热体。

7.根据权利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述有源区包括依次层叠设置的P型包覆层、P型波导层、第一量子阱层、势垒层、第二量子阱层、N型波导层以及N型包覆层。

8.根据权利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述栈桥沿着垂直于所述延伸方向和所述层叠方向的分布方向上的长度小于或等于所述激光芯片的腔体长度的30％；

9.根据权利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述栈桥沿着垂直于所述延伸方向和所述层叠方向的分布方向上的长度小于或等于所述电流注入段沿着所述延伸方向上的长度的两倍。

10.根据权利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述栈桥沿着垂直于所述延伸方向和所述层叠方向的分布方向上的长度大于或等于60μm，小于或等于80μm。

11.根据权利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述激光芯片还包括衬底，所述衬底设置于所述多个有源区远离所述外延层的一侧。