[发明专利]一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片及其制备方法

说明书

本发明提供了一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片的制备方法，属于多层陶瓷电容器领域。本发明采用半成型工艺，降低了陶瓷芯片的形变，避免了介质层与内电极层之间以及介质层与介质层之间产生裂纹和脱层；通过表面印有内电极图案的PET离型膜转印电极，有效减少了内电极浆料中的有机溶剂对陶瓷介质的浸蚀。

技术领域

本发明属于多层陶瓷电容器领域，具体涉及一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片及其制备方法。

背景技术

近年来，由于各种电子仪器的小型化，安装于电子仪器内部的电子部件的小型化和高性能化也随之发展。作为电子部件之一的片式多层陶瓷电容器，人们也要求其小型化和高性能化。目前，片式多层陶瓷电容器的制造方法包括以下步骤：(1)将陶瓷粉和粘合剂、溶剂等按一定比例混合球磨，形成陶瓷浆料；(2)通过刮涂法、喷嘴法等方法在塑料支持体膜上涂布、干燥该陶瓷浆料，制成电介质生片材；(3)在步骤(2)所得电介质生片材上直接丝网印刷内电极层；(4)将表面印有内电极层的电介质生片材从支持体基膜上剥离，得到陶瓷介质层，将陶瓷介质层切成规定大小后，调整内电极层的图案位置，进行叠层与压合以制成陶瓷生层压体；(5)将陶瓷生层压体按规定大小切断、制成薄片后，在规定的气氛、温度下烧结得到陶瓷芯片；(6)在陶瓷芯片的端部涂布并烧接外部电极，形成多层陶瓷电容器。但是这样的制造方法存在以下问题：a)内电极浆料中的有机溶剂会浸蚀陶瓷介质，使陶瓷介质层变薄，影响电容器的性能，且压合时表面易产生弧度而造成陶瓷芯片表面产生弧度；b)由于介质层和内电极层在烧结过程中的收缩差异，容易导致形成的陶瓷芯片易变形，介质层与内电极层之间或介质层与介质层之间产生裂纹或脱层。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片的制备方法，以降低陶瓷芯片的形变，避免介质层与内电极层之间以及介质层与介质层之间产生裂纹和脱层。

为实现上述目的，第一方面，本发明提供了一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片的制备方法，包括以下制备步骤：

(1)将陶瓷浆料的原料混合球磨得到陶瓷浆料，其中所述陶瓷浆料的原料包括陶瓷粉、粘合剂和溶剂；

(2)将部分陶瓷浆料流延形成一层薄膜，烘干，得到半成型陶瓷介质层；

(3)通过印刷工艺在步骤(2)所得半成型陶瓷介质层的表面形成内电极层；

(4)将剩余陶瓷浆料流延覆盖在步骤(3)所得半成型陶瓷介质层上的内电极层表面，烘干得到陶瓷介质层；

(5)将所述陶瓷介质层经叠层、压合、排胶和烧结处理，即得所述陶瓷芯片。

上述制备方法将陶瓷浆料分两部分使用，一部分用于制备表面印有内电极层的半成型陶瓷介质层，另一部分流延覆盖在该半成型陶瓷介质层的内电极层表面，这样，所述另一部分中的陶瓷浆料会填充到电极的间隙中，降低陶瓷芯片的形变，避免介质层与内电极层之间以及介质层与介质层之间产生裂纹和脱层。上述制备方法对剩余陶瓷浆料所形成的层厚无特别要求，无论其薄厚如何，都会降低压合所造成的陶瓷芯片的形变，减少介质层与内电极层之间以及介质层与介质层之间产生裂纹和脱层。

优选地，所述步骤(2)所得半成型陶瓷介质层的厚度≥0.3μm。步骤(2)所得半成型陶瓷介质层的薄厚会影响电容器的电容，其越薄，电容就越高。目前可将其厚度最薄做到0.3μm。

优选地，所述流延处理的温度都为55-95℃。该温度是根据溶剂的挥发温度设置的，此温度范围既能保证溶剂挥发完全，又能节能。

优选地，所述内电极层的厚度≥0.5μm。进一步优选地，所述内电极层的厚度为0.5-1.5μm。当内电极层的厚度≥0.5μm时，可以保证电极具有很好地连续性，尤其当内电极层的厚度为0.5-1.5μm时，电极具有非常优异的连续性。