[发明专利]一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011242930.X 申请日: 2020-11-09
公开(公告)号: CN112530695B 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 马艳红;刘杰鹏;邱基华;陈烁烁;张磊;徐苏龙;孙健 申请(专利权)人: 潮州三环(集团)股份有限公司;深圳三环电子有限公司
主分类号: H01G4/12 分类号: H01G4/12;H01G4/005;H01G4/30;H01G13/00
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 颜希文;周全英
地址: 515646 *** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 多层 陶瓷 电容器 芯片 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)将陶瓷浆料的原料混合球磨得到陶瓷浆料,其中所述陶瓷浆料的原料包括陶瓷粉、粘合剂和溶剂;

(2)将部分陶瓷浆料流延形成一层薄膜,烘干,得到半成型陶瓷介质层;

(3)将步骤(2)所得半成型陶瓷介质层覆盖于表面印有内电极图案的PET离型膜上,然后通过热转印工艺在所述半成型陶瓷介质层的表面形成内电极层;

(4)将剩余陶瓷浆料流延覆盖在步骤(3)所得半成型陶瓷介质层上的内电极层表面,烘干得到陶瓷介质层;

(5)将所述陶瓷介质层经叠层、压合、排胶和烧结处理,即得所述陶瓷芯片;

其中所述表面印有内电极图案的PET离型膜通过将内电极浆料印刷在PET离型膜的离型剂涂层上,烘干而形成;所述PET离型膜上的离型剂涂层的材料为UV光油,所述离型剂涂层的厚度为0.1-0.2μm。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)所得半成型陶瓷介质层的厚度≥0.3μm。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述流延处理的温度都为55-95℃。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述内电极层的厚度≥0.5μm。

5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述内电极层的厚度为0.5-1.5μm。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述内电极浆料含有质量分数0.01-20%的聚硅氧烷助剂。

7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述热转印温度为60-120℃。

8.如权利要求1~7任一项所述的制备方法制得的陶瓷芯片。

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