[发明专利]一种基于单极型晶体管的加法器电路、芯片及设计方法在审

专利信息
申请号: 202011221060.8 申请日: 2020-11-05
公开(公告)号: CN112564692A 公开(公告)日: 2021-03-26
发明(设计)人: 徐煜明;陈荣盛;吴朝晖;李斌 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H03K19/20 分类号: H03K19/20;H03K19/21
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 胡辉
地址: 511458 广东省广州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 单极 晶体管 加法器 电路 芯片 设计 方法
【说明书】:

发明公开了一种基于单极型晶体管的加法器电路、芯片及设计方法,其中加法器电路包括:第一输入端,用于输入第一数值信号;第二输入端,用于输入第二数值信号;进位运算模块,以所述第一数值信号和所述第二数值信号为输入信号,所述输入信号经过所述进位运算模块的逻辑电路,直接输出最终输出的进位信号;求和运算模块,用于根据所述第一数值信号和所述第二数值信号计算求和结果;所述逻辑电路采用单极型晶体管制成。本发明直接从最终进位输出端的逻辑表达式出发,将输出结果拆分为最底层的表达式,进位结果在数据输入时就直接进行计算,极大地加快了加法器的运算效率,可广泛应用于半导体集成电路领域。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路领域,尤其涉及一种基于单极型晶体管的加法器电路、芯片及设计方法。

背景技术

与传统的硅互补氧化物半导体(CMOS)技术相比,薄膜晶体管(TFT)技术具有吸引人的特性,包括柔韧性,透明性,重量轻,超薄尺寸,可拉伸性以及大面积低成本制造的能力。尽管薄膜技术有很多优势,但缺少高性能的互补器件在大多数情况下对电路设计提出了挑战。例如,a-Si TFT技术,氧化物TFT技术主要器件类型为n型晶体管;而有机TFT技术,碳纳米管技术主要器件类型则为p型晶体管。因此,通常情况下,薄膜晶体管电路仅能基于单极型晶体管实现,这意味着传统CMOS电路设计技术不再适用,相比成熟的CMOS集成电路设计技术,薄膜晶体管集成电路的设计面临很多挑战。本发明虽仅以纯n型电路为例进行讨论,对于纯p型电路,只需将电路上下翻转即可,因此不再做详述。

加法器是用于对二进制数进行算术运算的一种逻辑电路,其根据输入信号进行加法运算,输出和与进位的结果。由二进制数的运算原理可知,减法、乘法和积分等复杂运算均可转化为加法运算,因此加法运算是数字运算电路的核心与基础。作为一种基本的逻辑运算电路,加法器被广泛应用于集成微处理器、数字信号处理单元和各种运算部件之中,其速度与功耗等性能直接影响到了整个电路系统。目前,TFT电路已经能够实现8位宽度的异步柔性微处理器。随着TFT工艺技术的发展与电路研究的深入,要想在未来实现更复杂的电路系统,就必须仔细对各个组成模块进行细致的优化。因此,作为运算电路的核心部件,加法器的设计与优化就显得非常有必要性,值得我们深入研究。

现有的加法器在输出运算结果的进位时,需要依次等待各级进位结果,如图2所示,将第j级的进位输入端与第j-1级的进位输出端相连,而将第j级的进位输出端连接到第j+1级的进位输入端,一共使K个全加器依该规则级联即可构成K位的加法器。虽然这种电路结构直观简单,但却不具有普及使用的价值,这是因为进位链路的传输延时较大,随着加法器位数的增加,传输延时将会迅速增大,这不利于大规模复杂的集成系统的应用。

发明内容

为至少一定程度上解决现有技术中存在的技术问题之一,本发明的目的在于提供一种基于单极型晶体管的加法器电路、芯片及设计方法。

本发明所采用的技术方案是:

一种基于单极型晶体管的加法器电路,包括:

第一输入端,用于输入第一数值信号;

第二输入端,用于输入第二数值信号;

进位运算模块,以所述第一数值信号和所述第二数值信号为输入信号,所述输入信号经过所述进位运算模块的逻辑电路,直接输出最终输出的进位信号;

求和运算模块,用于根据所述第一数值信号和所述第二数值信号计算求和结果;

所述逻辑电路采用单极型晶体管制成。

进一步,所述逻辑电路包括与门电路、或门电路以及异或门电路,所述与门电路、所述或门电路和所述异或门电路均包括有伪CMOS反相器。

进一步,所述伪CMOS反相器包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管;

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