[发明专利]适用于非易失性存储器的电压选择电路

权利要求书

1.一种适用于非易失性存储器的电压选择电路，其特征在于：包括高压比较电路和电压选择电路，所述高压比较电路包括第一支路和第二支路，第一支路包括依次连接的第一电阻分压模块、第一比较器、第一电平转换模块，第二支路包括依次连接的第二电阻分压模块、第二比较器、第二电平转换模块，第一电阻分压模块和第二电阻分压模块的输入端均接入第一输入电压、第二输入电压，所述电压选择电路包括依次连接的第三电平转换模块和传输门，第三电平转换模块的输入端与第一电平转换模块的输出端、第二电平转换模块的输出端连接，第三电平转换模块的输出端经传输门后输出选择信号；所述高压比较电路通过第一支路和第二支路得出第一输入电压、第二输入电压中的最大电压，高压比较电路输出的最大电压连接到所述电压选择电路的输入端，通过第三电平转换模块、传输门与选择控制信号共同作用，进行电压的选择；

所述电压选择电路中，第三电平转换模块的VSEL端口接入选择控制信号，第三电平转换模块的VIN端口连接高压比较电路的输出端，传输门包括第一NMOS管、第二NMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管，所述第三电平转换模块的VOUT端口连接第五PMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极，第三电平转换模块的VOUT_N端口连接第一NMOS管的栅极、第六PMOS管的栅极，第一NMOS管的源极和第五PMOS管的源极连接在一起并接入第二输入电压，第二NMOS管的源极与第六PMOS管的源极连接在一起并接入第一输入电压，第一NMOS管的漏极、第二NMOS管的漏极、第五PMOS管的漏极、第六PMOS管的漏极连接在一起并作为电压选择电路的输出端输出选择后的电压。

2.根据权利要求1所述的适用于非易失性存储器的电压选择电路，其特征在于：所述第一支路中，第一电阻分压模块包括第一至第四电阻，第一比较器的正输入端连接第一电阻的一端、第二电阻的一端，第一电阻的另一端接入第一输入电压，第二电阻的另一端接地，第一比较器的负输入端与第三电阻的一端、第四电阻的一端相连，第三电阻的另一端接入第二输入电压，第四电阻的另一端接地，第一比较器的输出端与第一电平转换模块的VSEL端口相连，第一电平转换模块的VIN端口接入第一输入电压，第一电平转换模块的VOUT_N端口悬空，第一电平转换模块的VOUT端口与第三PMOS管的栅极相连，第三PMOS管的源极接入第二输入电压。

3.根据权利要求2所述的适用于非易失性存储器的电压选择电路，其特征在于：所述第二支路中，第二电阻分压模块包括第五至第八电阻，第二比较器的正输入端连接第五电阻的一端、第六电阻的一端，第五电阻的另一端接入第二输入电压，第六电阻的另一端接地，第二比较器的负输入端与第七电阻的一端、第八电阻的一端相连，第七电阻的另一端接入第一输入电压，第八电阻的另一端接地，第二比较器的输出端与第二电平转换模块的VSEL端口相连，第二电平转换模块的VIN端口接入第二输入电压，第二电平转换模块的VOUT_N端口悬空，第二电平转换模块的VOUT端口与第四PMOS管的栅极相连，第四PMOS管的源极接入第一输入电压，第四PMOS管的漏极与第三PMOS管的漏极连接在一起并作为高压比较电路的输出端。

4.根据权利要求3所述的适用于非易失性存储器的电压选择电路，其特征在于：所述第一电平转换模块、第二电平转换模块、第三电平转换模块结构相同，第一电平转换模块包括第二反相器、第三反相器、第三NMOS管、第四NMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管，第二反相器的输入端作为第一电平转换模块的VSEL端口，第二反相器的输出端连接第三反相器的输入端、第四NMOS管的栅极，第四NMOS管的源极接地，第三反相器的输出端与第三NMOS管的栅极相连，第三NMOS管的源极接地，第三NMOS管的漏极、第七PMOS管的漏极、第八PMOS管的栅极连接在一起并作为第一电平转换模块的VOUT_N端口，第七PMOS管的源极、第八PMOS管的源极连接在一起并作为第一电平转换模块的VIN端口，第八PMOS管的漏极、第七PMOS管的栅极、第四NMOS管的漏极连接在一起并作为第一电平转换模块的VOUT端口。