[发明专利]一种超级结器件及其终端

权利要求书

1.一种半导体器件，包括有源区和终端区，所述半导体器件包括：

位于有源区内的第一柱区、第二柱区和第一电介质柱区；

位于终端区内的第一终端，所述第一终端包括第三柱区、第四柱区和第二电介质柱区；以及

位于终端区内的第二终端，所述第二终端包括第五柱区、第六柱区和第三电介质柱区；其中

第一柱区和第三柱区均具有第一掺杂类型，第二柱区和第四柱区均具有第二掺杂类型，第三柱区宽度小于第一柱区宽度，第四柱区宽度大于或等于第二柱区宽度，第二电介质柱区宽度大于或等于第一电介质柱区宽度；第五柱区具有第一掺杂类型并与第三柱区毗邻，第六柱区具有第二掺杂类型并与第四柱区毗邻，第三柱区宽度小于第五柱区宽度，第四柱区宽度大于或等于第六柱区宽度，第三电介质柱区与第二电介质柱区毗邻，且第二电介质柱区宽度大于或等于第三电介质柱区宽度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

位于终端区内的第三终端，所述第三终端包括第七柱区、第八柱区和第四电介质柱区；其中

第七柱区具有第一掺杂类型且与第五柱区毗邻，所述第八柱区具有第二掺杂类型且与第六柱区毗邻，第五柱区宽度小于第七柱区宽度，第六柱区宽度大于或等于第八柱区宽度，第三电介质柱区与第四电介质柱区毗邻，且第三电介质柱区宽度大于或等于第四电介质柱区宽度。

3.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

位于有源区最外侧的过渡区，所述过渡区包括第九柱区、第十柱区；以及

位于过渡区外侧的宽槽终端，所述宽槽终端包括宽电介质柱区；其中

第九柱区宽度小于第一柱区宽度，第十柱区宽度大于或等于第二柱区宽度，宽电介质柱区的宽度大于第一电介质柱区宽度、第二电介质柱区宽度和第三电介质柱区宽度。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一终端为渐变终端，所述第三柱区的宽度从靠近有源区一侧到远离有源区一侧逐渐增加，所述第三柱区靠近有源区一侧的宽度小于第一柱区宽度，第四柱区靠近有源区一侧的宽度大于或等于第二柱区宽度。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中第四柱区的宽度从靠近有源区一侧到远离有源区一侧保持不变或者逐渐增加，第四柱区靠近有源区一侧的宽度大于或等于第二柱区的宽度，第二电介质柱区的宽度从靠近有源区一侧到远离有源区一侧逐渐增加，第二电介质柱区靠近有源区一侧的宽度大于第一电介质柱区的宽度。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中第一柱区内电荷量和第二柱区内电荷量之和的绝对值不高于第一柱区内电荷量绝对值的5％，第三柱区内电荷量和第四柱区内电荷量之和小于第一柱区内电荷量的-10％。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中当所述半导体器件承受反向电压时，第一柱区在耗尽后产生的正电荷量正比于第一柱区宽度，第二柱区在耗尽后产生的负电荷量正比于第二柱区宽度。

8.一种超级结器件，包括有源区和终端区，所述超级结器件包括：

位于有源区内的第一柱区、第二柱区和第一电介质柱区；以及

位于终端区内的第一终端，所述第一终端包括第三柱区、第四柱区和第二电介质柱区；

位于终端区内且与第一终端毗邻的第二终端，所述第二终端包括第五柱区、第六柱区和第三电介质柱区；

位于终端区内且与第二终端毗邻的第三终端，所述第三终端包括第七柱区、第八柱区和第四电介质柱区；其中

第一柱区、第三柱区、第五柱区和第七柱区均具有第一掺杂类型，第二柱区、第四柱区、第六柱区和第八柱区均具有第二掺杂类型，第三柱区宽度小于第五柱区宽度小于第七柱区宽度，第三柱区宽度小于第一柱区宽度，第四柱区宽度大于或等于第六柱区宽度大于或等于第八柱区宽度，第四柱区宽度大于或等于第二柱区宽度，第二电介质柱区宽度大于或等于第三电介质柱区宽度大于或等于第四电介质柱区宽度，第二电介质柱区宽度大于或等于第一电介质柱区宽度。

9.如权利要求8所述的超级结器件，还包括：

位于有源区最外侧的过渡区，所述过渡区包括第九柱区、第十柱区；以及

位于过渡区外侧的宽槽终端，所述宽槽终端包括宽电介质柱区；其中

第九柱区宽度小于第一柱区宽度，第十柱区宽度大于或等于第二柱区宽度，宽电介质柱区的宽度大于第一电介质柱区宽度、第二电介质柱区宽度和第三电介质柱区宽度。