[发明专利]硅片生产控制方法、电子设备和计算机可读存储介质在审

专利信息
申请号: 202011211356.1 申请日: 2020-11-03
公开(公告)号: CN112527586A 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 周坤;李世鑫 申请(专利权)人: 特劢丝软件科技(上海)有限公司
主分类号: G06F11/26 分类号: G06F11/26;G06F11/36
代理公司: 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 代理人: 成丽杰
地址: 201103 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 硅片 生产 控制 方法 电子设备 计算机 可读 存储 介质
【说明书】:

发明实施例涉及硅片制造领域,公开了一种硅片生产控制方法、电子设备和计算机可读存储介质。上述硅片生产控制方法包括:获取待处理硅片上的晶圆体的测试信息;根据所述测试信息,确定所述待处理硅片的良率;根据所述良率和预设的N个良率区间,确定所述待处理硅片所属的良率区间;其中,N是大于2的整数;根据所述待处理硅片所属的良率区间,对所述待处理硅片进行与所述所属的良率区间相对应的处理。本发明实施例提供的硅片生产控制方法,可以改善硅片生产一刀切的情况,对硅片的生产过程进行精细化管理,从而缩短硅片生产周期,提高硅片的生产效率。

技术领域

本发明实施例涉及硅片制造领域,特别涉及一种硅片生产控制方法、电子设备和计算机可读存储介质。

背景技术

硅片,是制作集成电路的重要材料,通过对硅片进行光刻、离子注入等手段,可以制成各种半导体器件,用硅片制成的半导体器件有着惊人的运算能力。硅片制造企业会对硅片上的晶圆体进行晶圆体测试(chip probing,简称:CP测试),从而判断硅片上的每个晶圆体(die)是否达标,将通过CP测试的晶圆体称为达标晶圆体(Gooddie),否则判定为未达标晶圆体(Baddie)。若硅片中未达标晶圆体的数量过多,硅片的良率就会偏低。

发明人发现相关技术中存在以下问题:相关技术在确定硅片良率后,仅仅简单地对硅片良率低于预设阈值的硅片进行相同的工业处理,对整个硅片批次(Lot)的管理比较粗糙,存在生产一刀切的情况,不利于产品生产的精细化管理,导致硅片生产周期偏长,从而导致硅片生产效率偏低。

发明内容

本发明实施方式的目的在于提供一种硅片生产控制方法、电子设备和计算机可读存储介质,可以改善硅片生产一刀切的情况,对硅片的生产过程进行精细化管理,从而缩短硅片生产周期,提高硅片的生产效率。

为解决上述技术问题,本发明的实施方式提供了一种硅片生产控制方法,包括以下步骤:获取待处理硅片上的晶圆体的测试信息;根据所述测试信息,确定所述待处理硅片的良率;根据所述良率和预设的N个良率区间,确定所述待处理硅片所属的良率区间;其中,N是大于2的整数;根据所述待处理硅片所属的良率区间,对所述待处理硅片进行与所述所属的良率区间相对应的处理。

本发明的实施方式还提供了一种电子设备,包括:至少一个处理器;以及,与所述至少一个处理器通信连接的存储器;其中,所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令,所述指令被所述至少一个处理器执行,以使所述至少一个处理器能够执行上述硅片生产控制方法。

本发明的实施方式还提供了一种计算机可读存储介质,存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现上述硅片生产控制方法。

本发明的实施方式,获取待处理硅片上的晶圆体的测试信息,晶圆体的测试信息可以详细地表示待处理硅片上的晶圆体的实际测试结果。根据测试信息,确定待处理硅片的良率;根据良率和预设的N个良率区间,确定待处理硅片所属的良率区间;其中,N是大于2的整数。考虑到相关技术中,仅仅简单地对良率低于预设阈值的硅片进行相同的工业处理,对整个硅片生产管理比较粗糙,存在生产一刀切的情况,会造成生产资源的反复投入,使硅片的生产周期偏长,从而导致硅片生产效率偏低。本发明的实施方式预设N个良率区间,N是大于2的整数,即预设有至少三个良率区间,对待处理硅片进行良率区间的划分,可以使得硅片的生产过程更加合理,贴合客户的实际需要,节约生产资源。根据待处理硅片所属的良率区间,对待处理硅片进行与所属的良率区间相对应的处理,即将硅片后续进行的工业处理分为多种情况精细考虑,不同的良率区间对应不同的工业处理,可以改善硅片生产一刀切的情况,对硅片的生产过程进行精细化管理,从而缩短硅片生产周期,提高硅片的生产效率。

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