[发明专利]像素排布结构、硅基微显示面板及微显示装置在审
| 申请号: | 202011209078.6 | 申请日: | 2020-11-03 |
| 公开(公告)号: | CN112420781A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
| 发明(设计)人: | 张久杰;沈伟星;季渊;潘仲光 | 申请(专利权)人: | 南京昀光科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
| 地址: | 211102 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 排布 结构 硅基微 显示 面板 显示装置 | ||
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素排布结构、硅基微显示面板及微显示装置。该像素排布结构包括:呈阵列排布的多个重复单元,重复单元呈N边形,N≥6;重复单元包括至少一个第一子像素、至少一个第二子像素以及至少一个第三子像素;至少一个第一子像素与至少一个第二子像素以及至少一个第三子像素占N边形重复单元的面积比为1:1:2;相邻的N边形重复单元通过边缘对接连接,且相邻两个重复单元在第一方向上错开预设距离,预设距离等于重复单元在第一方向上总长度的二分之一。本申请实施例提供的像素排列结构,可有效减少显示面板显示锯齿感,降低显示面板显示颗粒感,提高显示面板画面的细腻性,提升了像素密度。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素排布结构、硅基微显示面板及微显示装置。
背景技术
现有的微型有机发光显示装置,如硅基微型有机发光显示(Organic Lig ht-Emitting Display,简称:OLED)装置,以单晶硅芯片为基底,像素尺寸为传统显示器件的1/10,精细度远远高于传统器件,可用于形成微型显示器。硅基微显示器WOLED(WhiteOrganic Light-Emitting Diode)具有广阔的市场应用空间,特别适合应用于头盔显示器、立体显示镜以及眼镜式显示器等。WOLED能够为便携式计算机、无线互联网浏览器、游戏平台及可戴式计算机等移动信息产品提供高画质的视频显示。WOLED基于超高像素规格和微型显示的优势,在增强现实和虚拟现实等显示领域,应用前景显著,是新一代显示技术的核心。常见的WOLED通过蒸镀红、绿、蓝发光材料搭配彩膜基板进行色彩显示功能,已实现稳定量产。现阶段,顺应市场的发展要求,提高WOLED显示装置的发光亮度仍然是重点考虑的问题之一。
传统WOLED显示装置中像素排列结构中一般包括红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素,三个条状的子像素交替排列。传统的像素排列结构对显示面板或者显示装置的显示算法要求较高,而且显示面板在R角、弧行边缘、凹槽开口处的边缘显示时容易出现颗粒感,显示的图像存在锯齿状现象,而且分辨率较低,无法完成细腻显示。且由于OLED器件结构中蓝光寿命较短,传统的像素排布结构中红绿蓝像素结构一致,故无法弥补OLED蓝光寿命短的现象,长时间使用会有色偏现象。鉴于此,有必要提供一种像素排布结构。
发明内容
鉴于以上所述的一个或多个问题,本发明提供了一种像素排布结构。
该像素排布结构包括:呈阵列排布的多个重复单元,重复单元呈N边形,N≥6;
重复单元包括至少一个第一子像素、至少一个第二子像素以及至少一个第三子像素;
至少一个第一子像素与至少一个第二子像素以及至少一个第三子像素占N边形重复单元的面积比为1:1:2;
相邻的N边形重复单元通过边缘对接连接,且相邻两个重复单元在第一方向上错开预设距离,预设距离等于重复单元在第一方向上总长度的二分之一。
在一种示例性实施例中,重复单元呈六边形且具有沿第二方向延伸的长轴线及沿第一方向延伸的短轴线,重复单元包括位于长轴线两侧且对称设置的第一像素组和第二像素组,第一方向与第二方向相垂直。
在一种示例性实施例中,第一像素组包括以短轴线为对称轴的一个第一子像素和一个第二子像素,第二像素组包括以短轴线为对称轴的一个第二子像素和一个第三子像素。
在一种示例性实施例中,第一像素组包括一个第一子像素和一个第三子像素,第二像素组包括一个第二子像素。
在一种示例性实施例中,N边形重复单元中,一个第一子像素和一个第三子像素位于沿第二方向延伸的长轴线上方,一个第二子像素位于沿第二方向延伸的长轴线下方。
在一种示例性实施例中,第一像素组包括沿第二方向依次排布的一个第一子像素、一个第二子像素和一个第三子像素,第二像素组包括沿第二方向依次排布的一个第三子像素、一个第二子像素和一个第一子像素,
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





