[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

获取预处理半导体结构，所述预处理半导体结构包括具有第一暴露面的金属层，所述金属层的第一暴露面具有凸起部；所述凸起部为探针插入所述金属层的第一暴露面形成的；

在所述金属层的第一暴露面设置保护层，所述保护层至少覆盖所述金属层除所述凸起部以外的其它部分；

去除所述凸起部以在所述金属层上形成所述金属层的第二暴露面_；

在所述第一暴露面的所在区域上形成介质层，且所述介质层完全覆盖所述第一暴露面的所在区域。

2.根据权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述获取预处理半导体结构的步骤包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底、设置于所述衬底表面的覆盖层以及设置于所述覆盖层内的金属层；

对所述覆盖层进行开口，从而使所述金属层暴露形成所述第一暴露面；

将探针插入所述金属层的第一暴露面，对所述半导体结构进行电性测试，使得所述金属层的第一暴露层表面形成所述凸起部。

3.根据权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述获取预处理半导体结构的步骤包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底、设置于所述衬底表面的金属层，所述金属层暴露的表面为第一暴露面；

将探针插入所述金属层第一暴露面，对所述半导体结构进行电性测试，使得所述金属层表面形成所述凸起部。

4.根据权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在所述金属层的第一暴露面设置保护层的步骤包括：

在所述金属层的第一暴露面上沉积所述保护层，其中，覆盖所述凸起部的所述保护层的厚度小于覆盖所述金属层除所述凸起部以外的其它部分的所述保护层的厚度。

5.根据权利要求4所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在所述金属层的第一暴露面上沉积所述保护层的方法为化学气相沉积法，所述保护层为二氧化硅层或氮化硅层。

6.根据权利要求4所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述去除所述凸起部以在所述金属层上形成所述金属层的第二暴露面的步骤包括：

通过干法刻蚀去除所述凸起部上覆盖的所述保护层形成暴露凸起部，同时减薄覆盖所述金属层除所述凸起部以外的其它部分的所述保护层；

对所述暴露凸起部进行湿法刻蚀以在所述金属层上形成所述金属层第二暴露面。

7.根据权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述去除所述凸起部以在所述金属层上形成所述金属层的第二暴露面的步骤包括：通过切割去除所述凸起部，或通过切割去除所述凸起部和所述凸起部上覆盖的所述保护层。

8.根据权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在所述第一暴露面的所在区域上形成介质层，且所述介质层完全覆盖所述第一暴露面的所在区域的步骤之后进一步包括：对所述介质层进行表面平坦化。

9.根据权利要求8所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述对所述介质层进行表面平坦化的步骤之后进一步包括：在所述介质层上设置导电插塞，所述导电插塞的一端与所述金属层电连接，所述导电插塞将所述金属层进行电引出。

10.根据权利要求9所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在所述介质层上设置导电插塞具体包括：

在平坦化的所述介质层上形成开孔，使所述金属层部分暴露；

在所述开孔内填充导电材料。

11.根据权利要求9所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属层的材料为铝，所述导电插塞的材料为铜。